Apakah kecerunan suhu medan terma relau kristal tunggal?

Apa itumedan terma?

Medan suhuPertumbuhan kristal tunggalmerujuk kepada pengagihan suhu ruang dalam relau kristal tunggal, yang juga dikenali sebagai medan terma. Semasa penalaan, pengagihan suhu dalam sistem terma agak stabil, yang dipanggil medan terma statik. Semasa pertumbuhan kristal tunggal, medan terma akan berubah, yang dipanggil medan terma dinamik.

Apabila satu kristal tumbuh, disebabkan oleh transformasi fasa (fasa cecair ke fasa pepejal), haba laten fasa pepejal terus dikeluarkan. Pada masa yang sama, kristal semakin lama dan lebih lama, tahap cair sentiasa jatuh, dan pengaliran panas dan radiasi berubah. Oleh itu, medan terma berubah, yang dipanggil medan terma dinamik.

Apakah antara muka pepejal cecair?

Pada masa tertentu, mana -mana titik di dalam relau mempunyai suhu tertentu. Jika kita menyambungkan mata di ruang dengan suhu yang sama dalam medan suhu, kita akan mendapat permukaan spatial. Pada permukaan spatial ini, suhu adalah sama di mana -mana, yang kita panggil permukaan isoterma. Di antara permukaan isoterma dalam relau kristal tunggal, terdapat permukaan isoterma yang sangat istimewa, yang merupakan antara muka antara fasa pepejal dan fasa cecair, jadi ia juga dipanggil antara muka pepejal-cecair. Kristal tumbuh dari antara muka pepejal-cecair.

Apakah kecerunan suhu?

Kecerunan suhu merujuk kepada kadar perubahan suhu titik A dalam medan terma ke suhu titik berdekatan B. Iaitu, kadar perubahan suhu dalam jarak unit.

Bilasilikon kristal tunggalTumbuh, terdapat dua bentuk pepejal dan cair di medan terma, dan terdapat juga dua jenis kecerunan suhu:

▪ Kecerunan suhu membujur dan kecerunan suhu radial dalam kristal.

▪ Kecerunan suhu membujur dan kecerunan suhu radial dalam cair.

▪ Ini adalah dua pengagihan suhu yang sama sekali berbeza, tetapi kecerunan suhu di antara muka pepejal-cecair yang paling banyak mempengaruhi keadaan penghabluran. Kecerunan suhu radial kristal ditentukan oleh pengaliran haba longitudinal dan melintang kristal, radiasi permukaan dan kedudukan baru dalam medan terma. Secara umumnya, suhu pusat adalah tinggi dan suhu tepi kristal adalah rendah. Kecerunan suhu radial cair ini ditentukan oleh pemanas di sekelilingnya, jadi suhu pusat adalah rendah, suhu berhampiran kritikal adalah tinggi, dan kecerunan suhu radial sentiasa positif.

Pengagihan suhu munasabah medan terma perlu memenuhi syarat -syarat berikut:

▪ Kecerunan suhu membujur di kristal cukup besar, tetapi tidak terlalu besar, untuk memastikan terdapat kapasiti pelesapan haba yang mencukupi selama iniPertumbuhan Kristaluntuk menghilangkan haba laten penghabluran.

▪ Kecerunan suhu membujur dalam cair agak besar, memastikan bahawa tiada nukleus kristal baru yang dihasilkan dalam cair. Walau bagaimanapun, jika terlalu besar, mudah untuk menyebabkan dislokasi dan kerosakan.

▪ Kecerunan suhu longitud di antara muka penghabluran adalah sewajarnya besar, dengan itu membentuk bawah yang diperlukan, supaya kristal tunggal mempunyai momentum pertumbuhan yang mencukupi. Ia tidak sepatutnya terlalu besar, kecacatan struktur jika tidak akan berlaku, dan kecerunan suhu radial mestilah sekecil mungkin untuk menjadikan antara muka penghabluran rata.

Vetek Semiconductor adalah pengeluar Cina profesionalGrafit poros pertumbuhan kristal sic, Monocrystalline menarik crucible, Tarik jig kristal tunggal silikon, Crucible untuk silikon monocrystalline, Tiub bersalut karbida Tantalum untuk pertumbuhan kristal.  Vetek Semiconductor komited untuk menyediakan penyelesaian lanjutan untuk pelbagai produk wafer SIC untuk industri semikonduktor.

Sekiranya anda berminat dengan produk di atas, sila hubungi kami secara langsung.  

Mob: +86-180 6922 0752

Whatsapp: +86 180 6922 0752

E -mel: anny@veteksemi.com