Menu Web

Carian Produk

Bahasa

Perkhidmatan & Sumber

Bahan & Reka Bentuk

Memilih gabungan substrat dan salutan yang dipadankan adalah kunci untuk mencegah kegagalan komponen pramatang, mengurangkan pencemaran zarah dan memaksimumkan hasil wafer. Kami menyediakan penyelesaian reka bentuk bahan dan struktur yang disesuaikan di sekitar tetingkap proses khusus pelanggan (suhu operasi, kimia gas reaktif, kadar tanjakan).

Keupayaan Reka Bentuk Teras Kami:

  • Padanan Tekanan CTE yang ketat:Untuk kitaran terma yang pantas (>100 °C/min), kami memadankan dengan tepat lengkung suhu CTE bagi substrat grafit ketulenan tinggi dan salutan CVD, secara asasnya mengurangkan risiko penembusan salutan dan keretakan mikro.
  • Pemilihan Salutan Khusus Senario Proses:Salutan SiC CVD untuk persekitaran epitaksi Si/SiC (Epi), MOCVD dan plasma; Salutan TaC CVD untuk keadaan suhu yang lebih tinggi dan menghakis kuat (cth., pertumbuhan PVT kristal tunggal SiC).
  • Kerintangan Terkawal & Pengoptimuman Kekonduksian Terma:Kawalan jitu kerintangan pukal dan kekonduksian terma substrat dan salutan untuk memenuhi keperluan medan elektrik dan haba khusus bagi RF, chuck elektrostatik ESC atau Zon Pemanasan.
  • Kawalan Sumber Pencemaran & Pengurangan CoO:Lapisan pemendapan CVD ketulenan tinggi mengelak padat grafit berliang, mengurangkan penumpahan zarah dengan ketara, resapan bendasing logam ultra surih dan risiko keluar gas pada suhu tinggi.

Perbandingan Pemilihan Salutan Biasa (Panduan Sekilas)

Salutan Arahan Permohonan Biasa Kelebihan Teras
CVD SiC Epitaksi Si/SiC (Epi), MOCVD, etsa plasma separa Ketulenan tinggi, kestabilan haba yang baik, rintangan kakisan kimia, prestasi kos keseluruhan yang tinggi
CVD TaC Pertumbuhan kristal tunggal (PVT) suhu tinggi SiC, komponen galas beban suhu tinggi yang melampau Penarafan suhu yang lebih tinggi (>1600 °C), rintangan kakisan yang kuat, rintangan pengoksidaan yang sangat baik

Kes Sebenar & Faedah Pelanggan (Pengalaman):

Pengeluar SiC epitaxy (Epi) terkemuka:Komponen asal menggunakan salutan TaC CVD yang tidak padan, mengakibatkan tekanan antara muka yang berlebihan dan retak mikro yang kerap pada suhu tinggi. Kami menjalankan semula simulasi termodinamik dan bertukar kepada aSubstrat grafit ketulenan tinggi khusus dipadankan dengan CTE + lapisan penampan + salutan SiC CVDpenyelesaian. Keputusan: purata jangka hayat komponen meningkat daripada 200 jam kepada 850 jam; kekerapan penggantian tahunan setiap alat menurun daripada 40 hingga 9 kali; penjimatan kos O&M peralatan komprehensif melebihi RMB 650,000 setahun.

GDMS purity analysis report for TaC coating GDMS purity analysis report for SiC coating

Laporan analisis ketulenan GDMS untuk lapisan TaC dan SiC

Soalan Lazim

1. S: Bagaimanakah saya harus memilih antara salutan CVD SiC dan salutan TaC CVD?

▼

A:Lihat suhu proses anda dan keamatan kakisan fasa gas. Jika suhu proses adalah di bawah 1000 °C dan terutamanya melibatkan etsa berasaskan Cl₂/F₂ atau epitaksi konvensional, pilihCVD SiCuntuk prestasi kos terbaik; jika suhu proses melebihi 1200 °C dan melibatkan atmosfera yang sangat menghakis (cth., pertumbuhan kristal tunggal SiC PVT), kami mengesyorkanCVD TaC, yang menawarkan suhu unggul dan rintangan kakisan. Kami boleh menyediakan laporan pengesyoran pemilihan percuma berdasarkan parameter proses khusus anda.

2. S: Adakah anda menyokong prototaip satu keping / kelompok kecil? Apakah masa utama?

▼

A:Ya! Untuk prototaip kejuruteraan terbalik,MOQ ialah 1 keping. Untuk bahagian mudah konvensional, dari penerimaan sampel hingga penghantaran bahagian yang dipetakan, masa pendahuluan terpantas adalah lebih kurang10–15 hari bekerja; untuk bahagian yang melibatkan proses salutan kompleks adalah lebih kurang20–25 hari bekerja. Hubungi jurutera kami untuk penilaian pantas.

3. S: Apakah yang menyebabkan delaminasi salutan CVD pada bahagian grafit semasa digunakan? Bolehkah ia diselesaikan?

▼

A:90% kes delaminasi disebabkan oleh ketidakpadanan antara pekali pengembangan terma (CTE) substrat grafit dan salutan, yang membawa kepada pengelupasan keletihan di bawah pemanasan/penyejukan pantas. Penyelesaian kami: mula-mula ukur dengan tepat lengkung CTE bahagian asal anda, kemudian laraskan khas ketumpatan substrat dan kecerunan suhu pemendapan supaya kedua-dua CTE sangat dipadankan. Kekuatan ikatan boleh dipertingkatkan kepada lebih daripada1.5 kaliperingkat konvensional industri.

4. S: Bolehkah anda menyediakan CoA (Sijil Analisis) untuk produk? Apakah data yang disertakan?

▼

A:Setiap produk yang dihantar adalah standard dengan anombor siri unik + laporan penuh CoA. Laporan itu termasuk: data pemeriksaan CMM dimensi kritikal, peta taburan ketebalan salutan berbilang titik, nilai kekasaran permukaan (Ra) dan kesimpulan analisis ketulenan bahan (GDMS).

Mulakan Perkhidmatan Eksklusif Anda Sekarang

Hubungi Kami Segera Minta Sebut Harga

telefon: +86-18069220752(Tina);+86-15988690905(Sera)

e-mel: anny@veteksemi.com

Contoh PemetaanBahan & Reka BentukPengoptimuman & Pengeluaran Besar-besaranQC & Logistik
Cadangan Berita
Apakah Tantalum Carbide TAC Coating? - Veteksemicon
Apakah Tantalum Carbide TAC Coating? - VeteksemiconLihat Lagi >>
Apakah bahan teras untuk pertumbuhan SIC?
Apakah bahan teras untuk pertumbuhan SIC?Lihat Lagi >>
Kenapa CO₂ diperkenalkan semasa proses dicing wafer?
Kenapa CO₂ diperkenalkan semasa proses dicing wafer?Lihat Lagi >>
Apakah proses epitaxial?
Apakah proses epitaxial?Lihat Lagi >>
Bolehkah seramik karbida silikon menahan persekitaran perindustrian yang melampau
Bolehkah seramik karbida silikon menahan persekitaran perindustrian yang melampauLihat Lagi >>
Bagaimanakah Salutan Silikon Karbida CVD Didepositkan pada Grafit?
Bagaimanakah Salutan Silikon Karbida CVD Didepositkan pada Grafit?Lihat Lagi >>
X
Kami menggunakan kuki untuk menawarkan anda pengalaman menyemak imbas yang lebih baik, menganalisis trafik tapak dan memperibadikan kandungan. Dengan menggunakan tapak ini, anda bersetuju dengan penggunaan kuki kami. Dasar Privasi
TolakTerima