Perkhidmatan & Sumber

Contoh Pemetaan

Berdasarkan sampel fizikal yang disediakan oleh pelanggan (walaupun ia adalah bahagian terpakai yang haus atau patah), kami menawarkan perkhidmatan spektrum penuh daripada kejuruteraan terbalik struktur fizikal kepada pencirian fizikokimia peringkat bahan. Dengan memanfaatkan peralatan pemeriksaan ketepatan tinggi gred semikonduktor, kami mengukur dengan tepat struktur geometri 3D yang kompleks, sifat antara muka salutan/substrat dan parameter fizikal bahan, memastikan produk kejuruteraan terbalik memenuhi atau melebihi piawaian OEM dalam kesesuaian fizikal, keserasian proses dan hayat perkhidmatan (Penggantian Form-Fit-Function).

Perkara yang Kami Ukur (Hasil Teknikal):

  • Toleransi Dimensi & Geometrik:Menggunakan Mesin Pengukur Koordinat (CMM) berketepatan tinggi dan pengimbas 3D optikal, kami melakukan pemodelan titik-awan bersaiz penuh dan pembinaan semula struktur rongga kompleks dan lubang pelekap/lokasi, mencapai ketepatan tahap mikron.
  • Mikro-morfologi & Kerataan Permukaan:Menggunakan interferometer cahaya putih dan profilometer optik untuk menilai kekasaran permukaan berskala nanometer (Ra) dan kerataan kawasan besar, memenuhi keperluan pengendalian wafer dan pengedap ruang.
  • Ciri Mikro Tepi:Pemetaan pembesaran tinggi bagi tepi R-jejari dan profil mikro chamfer untuk mengoptimumkan morfologi pendakian salutan dan mengelakkan kepekatan tegasan pada sudut tajam yang boleh menyebabkan penembusan suhu tinggi.
  • Analisis Padanan Substrat & Terma Grafit:Penilaian ketumpatan substrat grafit ketulenan tinggi, saiz butiran dan pekali pengembangan terma (CTE) untuk memastikan pemadanan tekanan terma antara substrat dan salutan CVD.
  • Kualiti Ikatan Keratan Rentas & Antara Muka Salutan:Analisis SEM XRF dan keratan rentas metalografik yang tidak merosakkan untuk mengukur ketebalan mutlak, keseragaman jejarian salutan CVD, dan kedalaman penembusan antara muka.
  • Struktur Fasa & Analisis Mikrokristal:Penilaian XRD ketulenan fasa padu (β-SiC) CVD SiC; penilaian kualitatif stoikiometri kimia dan ciri struktur kristal CVD TaC.

Kes Sebenar & Faedah Pelanggan (Pengalaman):

Pelanggan komponen etsa semikonduktor 12 inci:Bekalan OEM dihentikan; hanya satu bahagian terpakai yang haus tersedia. Melalui pemodelan terbalik CMM + analisis keratan rentas salutan SEM, kami menyelesaikan pembangunan bahagian gantian dan ujian pada alat dalam masa 2 bulan tanpa sebarang lukisan asal, mencapai kesesuaian pemasangan 100%. Akhirnya, kitaran perolehan komponen telah dikurangkan daripada masa utama import 6 bulan asal kepada 2 bulan, kos perolehan unit menurun sebanyak 42%, dan model ini telah dibekalkan secara stabil untuk lebih daripada 30 kelompok.

SiC coating cross-section SEM SiC coating cross-section SEM

Salutan Silicon Carbide (SiC) pada keratan rentas salutan SEM

Soalan Lazim

1. S: Bagaimanakah saya harus memilih antara salutan CVD SiC dan salutan TaC CVD?

▼

A:Lihat suhu proses anda dan keamatan kakisan fasa gas. Jika suhu proses adalah di bawah 1000 °C dan terutamanya melibatkan etsa berasaskan Cl₂/F₂ atau epitaksi konvensional, pilihCVD SiCuntuk prestasi kos terbaik; jika suhu proses melebihi 1200 °C dan melibatkan atmosfera yang sangat menghakis (cth., pertumbuhan kristal tunggal SiC PVT), kami mengesyorkanCVD TaC, yang menawarkan suhu unggul dan rintangan kakisan. Kami boleh menyediakan laporan pengesyoran pemilihan percuma berdasarkan parameter proses khusus anda.

2. S: Adakah anda menyokong prototaip satu keping / kelompok kecil? Apakah masa utama?

▼

A:Ya! Untuk prototaip kejuruteraan terbalik,MOQ ialah 1 keping. Untuk bahagian mudah konvensional, dari penerimaan sampel hingga penghantaran bahagian yang dipetakan, masa pendahuluan terpantas adalah lebih kurang10–15 hari bekerja; untuk bahagian yang melibatkan proses salutan kompleks adalah lebih kurang20–25 hari bekerja. Hubungi jurutera kami untuk penilaian pantas.

3. S: Apakah yang menyebabkan delaminasi salutan CVD pada bahagian grafit semasa digunakan? Bolehkah ia diselesaikan?

▼

A:90% kes delaminasi disebabkan oleh ketidakpadanan antara pekali pengembangan terma (CTE) substrat grafit dan salutan, yang membawa kepada pengelupasan keletihan di bawah pemanasan/penyejukan pantas. Penyelesaian kami: mula-mula ukur dengan tepat lengkung CTE bahagian asal anda, kemudian laraskan khas ketumpatan substrat dan kecerunan suhu pemendapan supaya kedua-dua CTE sangat dipadankan. Kekuatan ikatan boleh dipertingkatkan kepada lebih daripada1.5 kaliperingkat konvensional industri.

4. S: Bolehkah anda menyediakan CoA (Sijil Analisis) untuk produk? Apakah data yang disertakan?

▼

A:Setiap produk yang dihantar adalah standard dengan anombor siri unik + laporan penuh CoA. Laporan itu termasuk: data pemeriksaan CMM dimensi kritikal, peta taburan ketebalan salutan berbilang titik, nilai kekasaran permukaan (Ra) dan kesimpulan analisis ketulenan bahan (GDMS).

Mulakan Perkhidmatan Eksklusif Anda Sekarang

telefon: +86-18069220752(Tina);+86-15988690905(Sera)

e-mel: anny@veteksemi.com

X
Kami menggunakan kuki untuk menawarkan anda pengalaman menyemak imbas yang lebih baik, menganalisis trafik tapak dan memperibadikan kandungan. Dengan menggunakan tapak ini, anda bersetuju dengan penggunaan kuki kami. Dasar Privasi
TolakTerima