Grafit poros pertumbuhan kristal sic

SiC Crystal Growth Porous Graphite ialah bahan yang diperbuat daripada grafit berliang dengan struktur liang yang sangat terkawal. Dalam pemprosesan semikonduktor, ia menunjukkan kekonduksian terma yang sangat baik, rintangan suhu tinggi dan kestabilan kimia, jadi ia digunakan secara meluas dalam pemendapan wap fizikal, pemendapan wap kimia dan proses lain, dengan ketara meningkatkan kecekapan proses pengeluaran dan kualiti produk, menjadi semikonduktor yang dioptimumkan. Bahan penting untuk prestasi peralatan pembuatan.

Dalam proses PVD, grafit poros pertumbuhan kristal SIC biasanya digunakan sebagai sokongan substrat atau perlawanan. Fungsinya adalah untuk menyokong wafer atau substrat lain dan memastikan kestabilan bahan semasa proses pemendapan. Kekonduksian terma grafit berliang biasanya antara 80 w/m · k dan 120 w/m · k, yang membolehkan grafit berliang untuk menjalankan haba dengan cepat dan merata, mengelakkan terlalu panas tempatan, dengan itu menghalang pemendapan filem nipis yang tidak sekata, meningkatkan kecekapan proses yang tidak sekata, meningkatkan kecekapan proses, .

Di samping itu, julat keliangan tipikal SiC Crystal Growth Porous Graphite ialah 20% ~ 40%. Ciri ini boleh membantu menyebarkan aliran gas dalam kebuk vakum dan menghalang aliran gas daripada menjejaskan keseragaman lapisan filem semasa proses pemendapan.

Dalam proses CVD, struktur berliang grafit poros pertumbuhan kristal SIC menyediakan laluan yang ideal untuk pengedaran seragam gas. Gas reaktif disimpan di permukaan substrat melalui tindak balas kimia fasa gas untuk membentuk filem nipis. Proses ini memerlukan kawalan yang tepat terhadap aliran dan pengedaran gas reaktif. Porositas 20% ~ 40% poros poros dapat membimbing gas dengan berkesan dan mengedarkannya secara merata di permukaan substrat, meningkatkan keseragaman dan konsistensi lapisan filem yang didepositkan.

Grafit berliang biasanya digunakan sebagai tiub relau, pembawa substrat atau bahan topeng dalam peralatan CVD, terutamanya dalam proses semikonduktor yang memerlukan bahan ketulenan tinggi dan mempunyai keperluan yang sangat tinggi untuk pencemaran zarah. Pada masa yang sama, proses CVD biasanya melibatkan suhu tinggi, dan Porous Graphite boleh mengekalkan kestabilan fizikal dan kimianya pada suhu sehingga 2500°C, menjadikannya bahan yang sangat diperlukan dalam proses CVD.

Walaupun struktur berliangnya, SiC Crystal Growth Porous Graphite masih mempunyai kekuatan mampatan 50 MPa, yang mencukupi untuk mengendalikan tegasan mekanikal yang dijana semasa pembuatan semikonduktor.

Sebagai peneraju produk Porous Graphite dalam industri semikonduktor China, Veteksemi sentiasa menyokong perkhidmatan penyesuaian produk dan harga produk yang memuaskan. Tidak kira apa keperluan khusus anda, kami akan memadankan penyelesaian terbaik untuk Porous Graphite anda dan mengharapkan perundingan anda pada bila-bila masa.

Sifat Fizikal Asas SIC Crystal Growth Porous Graphite:

Kedai produk VeTek Semiconductor SiC Crystal Growth Porous Graphite:

Gambaran keseluruhan rantaian industri epitaksi cip semikonduktor: