Cincin Panduan Grafit Berliang

Kelebihan Produk Teras

1. Jaminan Ketulenan Ultra Tinggi & Kecacatan Rendah

Mengguna pakai proses penulenan suhu tinggi vakum 3000℃ untuk membuang kekotoran bukan logam secara mendalam seperti oksigen dan nitrogen, meningkatkan ketulenan produk kepada ≥99.9995%. Ia menghapuskan kecacatan kristal yang disebabkan oleh kekotoran (cth., mikrotubul, kehelan) daripada sumber, memastikan ketekalan dan kestabilan sifat elektrik kristal tunggal SiC, dan meletakkan asas yang kukuh untuk pertumbuhan kristal berkualiti tinggi.

2. Kestabilan Suhu Ultra Tinggi & Peraturan Medan Terma Tepat

Boleh menahan suhu tinggi melampau 2200 ℃ dalam persekitaran argon atau vakum, beroperasi secara berterusan dan stabil selama lebih 1000 jam tanpa melembutkan atau ubah bentuk. Produk ini mempunyai pekali pengembangan haba yang rendah, yang boleh mengelakkan keretakan bahan yang disebabkan oleh tekanan haba dengan berkesan. Ia menyokong reka bentuk pengedaran kecerunan keliangan (15-30%) dan mengoptimumkan saiz liang (10-200μm) digabungkan dengan teknologi simulasi CFD (Computational Fluid Dynamics), mengawal turun naik kecerunan suhu dalam ±3℃ dan meningkatkan keseragaman medan haba dan konsistensi pertumbuhan kristal dengan ketara.

3. Penyesuaian Tersuai & Kepuasan Senario Penuh

• Penyesuaian Bentuk Geometrik: Boleh memproses bentuk kompleks dengan tepat seperti tong anulus dan struktur perisai berbilang lapisan mengikut struktur relau pelanggan untuk mencapai padanan dan pemasangan yang sempurna.
• Penyesuaian Proses Permukaan: Menyediakan perkhidmatan rawatan permukaan yang diperibadikan seperti penggilap ketepatan ultra dan salutan khas, meningkatkan daya tahan kakisan dan hayat perkhidmatan produk.

4. Prestasi-Disahkan & Kecekapan Ditingkatkan

• Apabila digunakan sebagai komponen medan haba teras dalam proses penghabluran PVT SiC, ia telah disahkan dalam senario praktikal:
• Kadar pertumbuhan kristal meningkat sebanyak 15%-20% berbanding dengan produk grafit tradisional, dengan ketara memendekkan kitaran pengeluaran.
• Hasil wafer kristal tunggal SiC 4-inci melebihi 90%, dengan berkesan mengurangkan kos pengeluaran.
• Kitaran penyelenggaraan peralatan dilanjutkan daripada 3 bulan konvensional kepada 6 bulan, mengurangkan kekerapan penyelenggaraan penutupan dan meningkatkan kecekapan pengeluaran.
  
  

Senario Aplikasi

• Perhimpunan Relau Pertumbuhan PVT: Berfungsi sebagai komponen teras untuk pemejalwapan bahan SiC dan pertumbuhan kristal, menyediakan pengagihan medan haba yang stabil dan seragam untuk memastikan kelancaran proses penghabluran.
• Komponen Perisai Medan Terma: Struktur berliang yang unik boleh menampan tekanan terma secara berkesan, mengurangkan haus peralatan dan memanjangkan hayat perkhidmatan keseluruhan peralatan.
• Aksesori Sokongan Kristal Benih: Memiliki kekuatan mekanikal yang tinggi untuk menyokong kristal benih secara stabil, memastikan ketepatan pertumbuhan kristal berarah.
• Lapisan Resapan Gas: Mengoptimumkan kecekapan pemindahan fasa gas, menggalakkan pemejalwapan seragam dan pemendapan bahan mentah, dan seterusnya meningkatkan kualiti kristal tunggal dan kadar pertumbuhan.

Parameter Teknikal

Sorotan Persaingan Teras

• Prestasi Suhu Tinggi Melampau: Mengekalkan kestabilan struktur pada 2200 ℃ tanpa melembutkan atau ubah bentuk, menyokong operasi berterusan selama lebih 1000 jam untuk memenuhi keperluan proses yang melampau.
• Penyelesaian Medan Terma Tersuai: Bergantung pada teknologi simulasi CFD untuk mengoptimumkan reka bentuk kecerunan liang, memadankan keperluan proses pelanggan dengan tepat dan meningkatkan keseragaman kristal dan hasil produk.
• Perkhidmatan Tindak Balas Pantas: Menyediakan perkhidmatan ujian pemadanan parameter proses dan menyampaikan penyelesaian prototaip dalam masa 72 jam, membantu pelanggan mempercepatkan proses R&D dan pengeluaran.