Salutan Silikon Karbida

Halfmoon ialah komponen grafit yang digunakan di dalam reaktor LPE SiC, terutamanya dipasang di sekitar zon panas ruang. Walaupun ia tidak secara langsung menghubungi wafer, ia masih memainkan peranan dalam kestabilan aliran gas dan operasi reaktor semasa pertumbuhan epitaxial. Untuk mengendalikan suhu tinggi dan keadaan proses reaktif, komponen biasanya dilindungi dengan salutan CVD SiC, manakala salutan TaC juga tersedia untuk beberapa aplikasi. VETEK juga membekalkan penebat rasa grafit dan bahagian grafit bersalut lain untuk sistem epitaksi SiC.

Cincin atas epi SiC 8 inci ialah bahagian perkakasan untuk reaktor semikonduktor. Ia berfungsi di dalam sistem epitaksi Si/SiC dan MOCVD/CVD. Cincin ini menstabilkan haba di dalam ruang. Ia juga mengawal aliran gas. Bahannya adalah CVD Silicon Carbide ketulenan tinggi. Ia tidak mempunyai masalah keluar gas grafit. Ia juga mengurangkan pencemaran zarah semasa pengeluaran. Kami mengalu-alukan pertanyaan anda.

VETEK MOCVD SiC Coated Susceptor ialah penyelesaian pembawa kejuruteraan ketepatan yang dibangunkan khusus untuk pertumbuhan epitaxial semikonduktor LED dan kompaun. Ia menunjukkan keseragaman terma yang luar biasa dan lengai kimia dalam persekitaran MOCVD yang kompleks. Dengan memanfaatkan proses pemendapan CVD yang ketat VETEK, kami komited untuk meningkatkan konsistensi pertumbuhan wafer dan memanjangkan hayat perkhidmatan komponen teras, memberikan jaminan prestasi yang stabil dan boleh dipercayai untuk setiap kelompok pengeluaran semikonduktor anda.

Cincin Fokus Silikon Karbida Pepejal (SiC) Veteksemicon ialah komponen boleh guna kritikal yang digunakan dalam epitaksi semikonduktor termaju dan proses etsa plasma, di mana kawalan tepat pengedaran plasma, keseragaman terma dan kesan pinggir wafer adalah penting. Dihasilkan daripada karbida silikon pepejal ketulenan tinggi, cincin pemfokus ini mempamerkan rintangan hakisan plasma yang luar biasa, kestabilan suhu tinggi dan lengai kimia, membolehkan prestasi yang boleh dipercayai dalam keadaan proses yang agresif. Kami menantikan pertanyaan anda.

Veteksemicon SIC bersalut ruang reaktor epitaxial adalah komponen teras yang direka untuk menuntut proses pertumbuhan epitaxial semikonduktor. Menggunakan pemendapan wap kimia canggih (CVD), produk ini membentuk salutan SIC yang padat, tinggi pada substrat grafit kekuatan tinggi, mengakibatkan kestabilan suhu tinggi dan rintangan kakisan. Ia secara berkesan menentang kesan menghakis gas reaktan dalam persekitaran proses suhu tinggi, dengan ketara menindas pencemaran zarah, memastikan kualiti bahan epitaxial yang konsisten dan hasil yang tinggi, dan secara substansial memanjangkan kitaran penyelenggaraan dan jangka hayat ruang tindak balas. Ini adalah pilihan utama untuk meningkatkan kecekapan pembuatan dan kebolehpercayaan semikonduktor lebar lebar seperti SIC dan GAN.

Dalam proses teras pertumbuhan epitaxial silikon karbida, Veteksemicon memahami bahawa prestasi pengedar secara langsung menentukan kecekapan kualiti dan pengeluaran lapisan epitaxial. Penggemar EPI yang berkulit tinggi kami, yang direka khusus untuk medan SIC, menggunakan substrat grafit khas dan salutan CVD SIC yang padat. Dengan kestabilan terma unggul mereka, rintangan kakisan yang sangat baik, dan kadar penjanaan zarah yang sangat rendah, mereka memastikan ketebalan yang tiada tandingan dan keseragaman doping untuk pelanggan walaupun dalam persekitaran proses suhu tinggi yang keras. Memilih Veteksemicon bermakna memilih asas kebolehpercayaan dan prestasi untuk proses pembuatan semikonduktor canggih anda.