Berita Industri

Teknologi etsa dalam pembuatan semikonduktor sering menghadapi masalah seperti kesan pemuatan, kesan alur mikro dan kesan pengecasan, yang menjejaskan kualiti produk. Penyelesaian penambahbaikan termasuk mengoptimumkan ketumpatan plasma, melaraskan komposisi gas tindak balas, meningkatkan kecekapan sistem vakum, mereka bentuk susun atur litografi yang munasabah, dan memilih bahan topeng goresan yang sesuai dan keadaan proses.

Sintering menekan panas adalah kaedah utama untuk menyediakan seramik SIC berprestasi tinggi. Proses sintering menekan panas termasuk: memilih serbuk SIC yang tinggi, menekan dan mencetak di bawah suhu tinggi dan tekanan tinggi, dan kemudian sintering. Seramik SIC yang disediakan oleh kaedah ini mempunyai kelebihan kesucian yang tinggi dan ketumpatan tinggi, dan digunakan secara meluas dalam cakera pengisaran dan peralatan rawatan haba untuk pemprosesan wafer.

Kaedah pertumbuhan utama Silicon Carbide (SIC) termasuk PVT, TSSG, dan HTCVD, masing -masing dengan kelebihan dan cabaran yang berbeza. Bahan-bahan medan terma berasaskan karbon seperti sistem penebat, crucibles, salutan TAC, dan grafit berliang meningkatkan pertumbuhan kristal dengan menyediakan kestabilan, kekonduksian terma, dan kesucian, penting untuk fabrikasi dan aplikasi yang tepat SIC.

SIC mempunyai kekerasan yang tinggi, kekonduksian terma, dan rintangan kakisan, menjadikannya sesuai untuk pembuatan semikonduktor. Salutan CVD SIC dicipta melalui pemendapan wap kimia, menyediakan kekonduksian terma yang tinggi, kestabilan kimia, dan pemalar kekisi yang sepadan untuk pertumbuhan epitaxial. Pengembangan terma yang rendah dan kekerasan yang tinggi memastikan ketahanan dan ketepatan, menjadikannya penting dalam aplikasi seperti pembawa wafer, cincin pemanasan, dan banyak lagi. Vetek Semiconductor mengkhususkan diri dalam salutan SIC tersuai untuk keperluan industri yang pelbagai.

Silicon Carbide (SIC) adalah bahan semikonduktor ketepatan tinggi yang dikenali dengan sifat-sifatnya yang sangat baik seperti rintangan suhu tinggi, rintangan kakisan, dan kekuatan mekanikal yang tinggi. Ia mempunyai lebih daripada 200 struktur kristal, dengan 3C-SIC menjadi satu-satunya jenis padu, yang menawarkan sphericity semulajadi yang unggul dan ketekunan berbanding dengan jenis lain. 3C-SIC menonjol untuk pergerakan elektron yang tinggi, menjadikannya sesuai untuk MOSFET dalam elektronik kuasa. Di samping itu, ia menunjukkan potensi besar dalam nanoelektronik, LED biru, dan sensor.

Diamond, potensi generasi keempat "semikonduktor muktamad," mendapat perhatian dalam substrat semikonduktor kerana kekerasannya yang luar biasa, kekonduksian terma, dan sifat elektrik. Walaupun cabaran kos dan pengeluaran yang tinggi mengehadkan penggunaannya, CVD adalah kaedah pilihan. Walaupun cabaran kristal doping dan kawasan besar, Diamond memegang janji.

SiC dan GaN ialah semikonduktor celah jalur lebar dengan kelebihan berbanding silikon, seperti voltan pecahan yang lebih tinggi, kelajuan pensuisan yang lebih pantas dan kecekapan yang unggul. SiC lebih baik untuk aplikasi berkuasa tinggi voltan tinggi kerana kekonduksian terma yang lebih tinggi, manakala GaN unggul dalam aplikasi frekuensi tinggi berkat mobiliti elektronnya yang unggul.

Penyejatan rasuk elektron adalah kaedah salutan yang sangat cekap dan digunakan secara meluas berbanding dengan pemanasan rintangan, yang memanaskan bahan penyejatan dengan rasuk elektron, menyebabkan ia mengewap dan terpeluwap menjadi filem nipis.

Salutan vakum termasuk pengewapan bahan filem, pengangkutan vakum dan pertumbuhan filem nipis. Menurut kaedah pengewapan bahan dan proses pengangkutan bahan yang berbeza, salutan vakum boleh dibahagikan kepada dua kategori: PVD dan CVD.

Artikel ini menerangkan parameter fizikal dan ciri produk Graphite Berliang Semikonduktor VeTek, serta aplikasi khususnya dalam pemprosesan semikonduktor.

Artikel ini menganalisis ciri -ciri produk dan senario aplikasi salutan karbida Tantalum dan salutan karbida silikon dari pelbagai perspektif.

Pemendapan filem nipis adalah penting dalam pembuatan cip, mewujudkan peranti mikro dengan mendepositkan filem di bawah 1 mikron tebal melalui CVD, ALD, atau PVD. Proses -proses ini membina komponen semikonduktor melalui filem konduktif dan penebat yang berselang -seli.

Proses pembuatan semikonduktor melibatkan lapan langkah: pemprosesan wafer, pengoksidaan, litografi, etsa, pemendapan filem nipis, interkoneksi, ujian, dan pembungkusan. Silikon dari pasir diproses ke dalam wafer, teroksida, bercorak, dan terukir untuk litar ketepatan tinggi.

Artikel ini menerangkan bahawa substrat LED adalah aplikasi terbesar nilam, serta kaedah utama penyediaan kristal nilam: kristal nilam yang tumbuh oleh kaedah Czochralski, tumbuh kristal nilam oleh kaedah Kyropoulos, tumbuh kristal safir dengan kaedah acuan berpandu, dan tumbuh -tumbuhan kristal yang ditanam.

Artikel ini menerangkan kecerunan suhu dalam relau kristal tunggal. Ia meliputi medan haba statik dan dinamik semasa pertumbuhan kristal, antara muka pepejal-cecair, dan peranan kecerunan suhu dalam pemejalan.

Proses Taiko Thins Silicon Wafers menggunakan prinsip, kelebihan teknikal dan asal -usul proses.