Blog ini mengambil "apakah proses epitaxial?" Sebagai temanya, dan menyediakan analisis terperinci dari dimensi gambaran keseluruhan proses epitaxial, jenis epitaxy, faktor yang mempengaruhi proses EPI, teknik pertumbuhan epitaxial, mod pertumbuhan EPI, dan kepentingan pertumbuhan epitaxy.
Dengan tema "Bagaimana untuk mencapai pertumbuhan kristal yang berkualiti tinggi? - Sic Crystal Growth Relau", blog ini menjalankan analisis terperinci dari empat dimensi: prinsip asas silikon karbida pertumbuhan kristal karbida, struktur silikon karbida pertumbuhan kristal, kesukaran teknikal silikon karbida kristal.
Artikel ini menerangkan sifat fizikal yang sangat baik karbon dirasakan, sebab -sebab khusus untuk memilih salutan SIC, dan kaedah dan prinsip salutan SIC pada karbon dirasakan. Ia juga secara khusus menganalisis penggunaan diffractometer X-ray Advance D8 (XRD) untuk menganalisis komposisi fasa karbon salutan SIC.
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies.
Privacy Policy