Resipi pemendapan lapisan atom ALD

Ald Spatial, pemendapan lapisan atom yang terpencil secara spasial. Wafer bergerak antara kedudukan yang berbeza dan terdedah kepada prekursor yang berbeza pada setiap kedudukan. Angka di bawah adalah perbandingan antara ALD tradisional dan ALD terpencil secara spasial.

Temporal ald,pemendapan lapisan atom terpencil sementara. Wafer dibetulkan dan prekursor dimasukkan dan dikeluarkan secara bergantian di dalam ruang. Kaedah ini boleh memproses wafer dalam persekitaran yang lebih seimbang, dengan itu meningkatkan hasil, seperti kawalan yang lebih baik terhadap julat dimensi kritikal. Rajah di bawah ialah gambarajah skema ALD Temporal.

Hentikan injap, injap tutup. Biasa digunakan dalam，resipi, digunakan untuk menutup injap ke pam vakum, atau membuka injap henti ke pam vakum.

Prekursor, Prekursor. Dua atau lebih, masing -masing yang mengandungi unsur -unsur filem yang dikehendaki, secara bergantian diserap pada permukaan substrat, dengan hanya satu prekursor pada satu masa, bebas antara satu sama lain. Setiap prekursor menembusi permukaan substrat untuk membentuk monolayer. Prekursor dapat dilihat dalam angka di bawah.

Pembersihan, juga dikenali sebagai pemurnian. Gas pembersihan biasa, gas pembersihan.Pemendapan lapisan atomadalah kaedah mendepositkan filem nipis dalam lapisan atom dengan secara berurutan meletakkan dua atau lebih reaktan ke dalam ruang tindak balas untuk membentuk filem nipis melalui penguraian dan penjerapan setiap reaktan. Iaitu, gas reaksi pertama dibekalkan dengan cara yang berdenyut untuk mendepositkan secara kimia di dalam ruang, dan gas reaksi pertama yang terikat secara fizikal dikeluarkan dengan membersihkan. Kemudian, gas tindak balas kedua juga membentuk ikatan kimia dengan gas reaksi pertama sebahagiannya melalui proses nadi dan pembersihan, dengan itu mendepositkan filem yang dikehendaki pada substrat. Purge boleh dilihat dalam gambar di bawah.

Kitaran. Dalam proses pemendapan lapisan atom, masa untuk setiap gas reaksi akan berdenyut dan dibersihkan sekali dipanggil kitaran.

Epitaksi Lapisan Atom.Satu lagi istilah untuk pemendapan lapisan atom.

Trimethylaluminum, disingkatkan sebagai TMA, trimethylaluminum. Dalam pemendapan lapisan atom, TMA sering digunakan sebagai prekursor untuk membentuk Al2O3. Biasanya, TMA dan H2O membentuk Al2O3. Selain itu, TMA dan O3 membentuk Al2O3. Rajah di bawah ialah gambarajah skema pemendapan lapisan atom Al2O3, menggunakan TMA dan H2O sebagai prekursor.

3-Aminopropyltriethoxysilane, dirujuk sebagai APTES, 3-aminopropyltriethoxysilane. DalamPemendapan lapisan atom, APTES sering digunakan sebagai prekursor untuk membentuk SiO2. Biasanya, APTES, O3 dan H2O membentuk SiO2. Rajah di bawah ialah gambarajah skematik APTES.