Silicon Epitaxy

Silicon Epitaxy, Epi, Epitaxy, Epitaxial merujuk kepada pertumbuhan lapisan kristal dengan arah kristal yang sama dan ketebalan kristal yang berbeza pada substrat silikon kristal tunggal. Teknologi pertumbuhan epitaxial diperlukan untuk pembuatan komponen diskret semikonduktor dan litar bersepadu, kerana kekotoran yang terkandung dalam semikonduktor termasuk N-Type dan P-type. Melalui gabungan pelbagai jenis, peranti semikonduktor mempamerkan pelbagai fungsi.

Kaedah pertumbuhan epitaxy silikon boleh dibahagikan kepada epitaxy fasa gas, epitaxy fasa cecair (LPE), epitaxy fasa pepejal, kaedah pertumbuhan pemendapan wap kimia digunakan secara meluas di dunia untuk memenuhi integriti kekisi.

Peralatan epitaxial silikon tipikal diwakili oleh syarikat Itali LPE, yang mempunyai pancake epitaxial hy pnotic tor, barel jenis hy pnotic tor, semikonduktor hy pnotic, pembawa wafer dan sebagainya. Gambar gambarajah skematik ruang tindak balas epitaxial hy pelektor berbentuk laras adalah seperti berikut. Vetek Semiconductor boleh menyediakan pelektor epitaxial berbentuk barel. Kualiti pelektor bersalut SIC sangat matang. Bersamaan kualiti dengan SGL; Pada masa yang sama, Vetek Semiconductor juga boleh menyediakan muncung kuarza reaksi epitaxial silikon, kuarza kuarza, balang loceng dan produk lengkap yang lain.

Susceptor epitaxial vertial untuk epitaxy silikon:

Produk Susceptor Epitaxial Menegak Vetek Semikonduktor

Sic Coated Graphite Barrel Susceptor untuk EPI SIC STOUSED SUSCEPTOR SUSCETOR T -SIC CVD SIC LPE jika penyokong EPI ditetapkan

Susceptor epitaxial cakrawala untuk epitaxy silikon:

Produk Susceptor Epitaxial Horizontal Vetek Semikonduktor

SIC Coating Monocrystalline Silicon Epitaxial Tray Sokongan bersalut untuk LPE PE2061s Sokongan berputar grafit