Pembawa wafer bersalut sic untuk etsa

Aplikasi teras pembawa wafer bersalut SIC untuk proses etsa

1. Pertumbuhan filem Gan dan etsa dalam pembuatan LED

Pembawa bersalut SIC (seperti PSS Etching Carrier) digunakan untuk menyokong substrat nilam (substrat nilam corak, PSS) dalam pengeluaran LED dan melaksanakan pemendapan wap kimia (MOCVD) filem Gallium nitride (GAN) pada suhu tinggi. Pembawa kemudian dikeluarkan oleh proses etsa basah untuk membentuk mikrostruktur permukaan untuk meningkatkan kecekapan pengekstrakan cahaya.

Peranan utama: Pembawa wafer perlu menahan suhu sehingga 1600 ° C dan kakisan kimia dalam persekitaran etsa plasma. Kesucian yang tinggi (99.99995%) dan ketumpatan salutan SIC menghalang pencemaran logam dan memastikan keseragaman filem GaN.

2. Proses Plasma Semikonduktor/Kering

DalamPlasma ICP (Inductively digabungkan), Pembawa bersalut SIC mencapai pengagihan haba seragam melalui reka bentuk aliran udara yang dioptimumkan (seperti mod aliran laminar), mengelakkan penyebaran kekotoran, dan meningkatkan ketepatan etsa. Sebagai contoh, pembawa pelindung ICP bersalut Veteksemicon dapat menahan suhu sublimasi 2700 ° C dan sesuai untuk persekitaran plasma tenaga tinggi.

3. Pembuatan peranti sel solar dan kuasa

Pembawa sic berfungsi dengan baik dalam penyebaran suhu tinggi dan etsa wafer silikon dalam bidang fotovoltaik. Koefisien pengembangan terma rendah mereka (4.5 × 10⁻⁶/k) mengurangkan ubah bentuk yang disebabkan oleh tekanan haba dan memanjangkan hayat perkhidmatan.

Sifat fizikal dan kelebihan pembawa wafer bersalut SIC untuk etsa

1. Toleransi terhadap persekitaran yang melampau:

Kestabilan suhu tinggi:CVD SIC CoatingBoleh bekerja di udara 1600 ° C atau persekitaran vakum 2200 ° C untuk masa yang lama, yang jauh lebih tinggi daripada pembawa kuarza tradisional atau grafit.

Rintangan kakisan: SIC mempunyai rintangan yang sangat baik terhadap asid, alkali, garam dan pelarut organik, dan sesuai untuk garis pengeluaran semikonduktor dengan pembersihan kimia yang kerap.

2. Sifat termal dan mekanikal:

Kekonduksian terma yang tinggi (300 W/mk): Pelepasan haba yang cepat mengurangkan kecerunan haba, memastikan keseragaman suhu wafer, dan mengelakkan sisihan ketebalan filem.

Kekuatan mekanikal yang tinggi: Kekuatan lentur mencapai 415 MPa (suhu bilik), dan ia masih mengekalkan kekuatan lebih daripada 90% pada suhu tinggi, mengelakkan retak pembawa atau penyingkiran.

Kemasan permukaan: SSIC (tekanan sintered silikon karbida) mempunyai kekasaran permukaan yang rendah (<0.1μm), mengurangkan pencemaran zarah dan meningkatkan hasil wafer.

3. Pengoptimuman sepadan bahan:

Perbezaan pengembangan haba yang rendah antara substrat grafit dan salutan SIC: dengan menyesuaikan proses salutan (seperti pemendapan kecerunan), tegasan antara muka dikurangkan dan salutan dihalang daripada mengelupas.

Kesucian yang tinggi dan kecacatan yang rendah: Proses CVD memastikan kesucian salutan> 99.9999%, mengelakkan pencemaran ion logam proses sensitif (seperti pembuatan peranti kuasa SIC).

KemudianC sifat fizikal salutan CVD sic

Struktur kristal filem salutan cvd sic

Kedai Sexemicon Vet