Cakera seramik aluminium nitrida

Vetek semikonduktor aluminium nitrida plat seramik adalah produk seramik penebat yang ideal dengan kekonduksian terma yang tinggi, pekali pengembangan yang rendah, kekuatan tinggi, rintangan suhu tinggi, rintangan kakisan kimia, resistiviti yang tinggi dan kehilangan dielektrik yang rendah. Seramik aluminium nitrida boleh menggantikan seramik berilium oksida beracun dan digunakan secara meluas dalam industri elektronik.

Kelebihan Prestasi:

Berbanding dengan seramik alumina, aluminium nitrida mempunyai kekonduksian terma yang tinggi, pada 100 darjah Celcius, kekonduksian terma melebihi 170W/ m.K, dan kekonduksian terma aluminium oksida adalah kira-kira 15-35 w/ (m · k), dan aluminium nitrida lebih daripada 5 kali lebih daripada 5 kali lebih daripada 5 kali lebih daripada 5 kali lebih daripada 5 kali lebih daripada 5 kali aluminium.

Kekerasan bahan seramik nitrida aluminium umumnya 9 kekerasan Mohs, yang bermaksud bahawa kekerasan seramik nitrida aluminium adalah sangat tinggi, kedua hanya untuk berlian, dalam proses pembungkusan semikonduktor, biasanya cawan seramik nitrida,

Koefisien pengembangan linear jenis seramik ini biasanya dalam lingkungan 4 hingga 5 × 10^^-6/℃, yang menjadikannya lebih sesuai dengan pekali pengembangan bahan logam, membantu mengurangkan penjanaan tekanan dan thTekanan ermal yang disebabkan oleh perubahan suhu.

Pada masa yang sama, kekuatan lentur seramik aluminium nitrida biasanya antara 300 dan 700 MPa, yang lebih tinggi daripada banyak bahan seramik lain seperti zirkonia dan alumina.

Dari segi suhu, seramik aluminium nitrida boleh berfungsi dengan stabil dalam persekitaran suhu tinggi, dan suhu penggunaannya dapat mencapai lebih dari 1500 ℃, yang sesuai untuk proses dan aplikasi suhu tinggi.

Sebagai tambahan kepada rintangannya terhadap gas lengai, cakera seramik aluminium nitrida mempamerkan kestabilan kimia yang sangat baik dan rintangan yang tinggi terhadap media menghakis seperti asid dan alkali, menjadikannya digunakan secara meluas dalam industri kimia.

Cakera seramik nitrida aluminium mempunyai resistiviti yang tinggi, biasanya antara 10^¹⁴dan 10^¹⁵Ω · cm, yang sesuai untuk majlis -majlis di mana sifat penebat elektrik diperlukan. Seramik aluminium nitrida mempunyai kehilangan dielektrik yang sangat rendah, yang bermaksud bahawa kehilangan tenaga dapat dikurangkan dalam aplikasi dielektrik.

Kawasan Permohonan:

Pembungkusan Semikonduktor: Untuk modul kuasa (seperti IGBTS), pembawa cip kuasa tinggi, relay keadaan pepejal, dan lain-lain, untuk menyediakan pengurusan terma yang cekap 3410.

Substrat Elektronik: Sebagai papan litar filem/tebal filem nipis, menyokong pemesinan ketepatan tinggi (mis. Menggilap ke RA 0.3μm kekasaran permukaan) 410.

Peranti RF/Microwave: Ciri-ciri kehilangan dielektrik rendah (Tanδ ≤3 × 10⁻⁴, 1MHz) yang sesuai untuk papan litar frekuensi tinggi 1018.

Senario perindustrian lain: seperti bahagian peralatan salutan vakum, HIG

Perkhidmatan pemprosesan dan penyesuaian

Pemesinan ketepatan: Pemotongan sokongan, penggerudian, pengisaran, penggilap (kekasaran permukaan RA sehingga 0.3μm) dan struktur berbentuk khas yang disesuaikan 410.

Rawatan permukaan: Substrat sintered boleh diproses semula untuk meningkatkan kelancaran permukaan (mis., Dari 30 microinch RA hingga 1 microinch RA) 4.

Ia semikonduktorAluminium Nitride Cakera Produk Cakera Seramik: