Wafer Aluminium Nitrida (AlN).

1. Ciri Utama & Kelebihan

• Jurang jalur ultra lebar ≈ 6.2 eV — tertinggi di antara bahan semikonduktor arus perdana

• Kekonduksian haba yang tinggi ≈ 320 W/m·K untuk pelesapan haba yang cekap

• Penebat elektrik yang sangat baik (>10¹³ Ω·cm) dan medan kerosakan tinggi (12–15 MV/cm)

• Padanan kekisi dan pengembangan terma yang baik dengan GaN — sesuai untuk heterostruktur GaN-on-AlN

• Pilihan ketumpatan terkehel rendah dengan kawalan lengkung goyang HR-XRD yang ketat

• CMP Al-muka (Ra ≤ 0.5 nm) dan MP N-muka untuk permukaan sedia epi

• Pelbagai saiz dan gred kualiti (P ​​/ R / D) untuk memadankan keperluan pengeluaran dan penyelidikan

2. Aplikasi Biasa

• Peranti RF berkuasa tinggi untuk komunikasi radar dan 6G

• Elektronik kuasa voltan tinggi untuk grid, pusat data dan kenderaan elektrik

• LED ultraungu dalam (UVC) dan diod laser

• Pertumbuhan epitaxial GaN-on-AlN dan peranti heterostruktur lanjutan

• Komponen semikonduktor suhu tinggi, frekuensi tinggi dan persekitaran yang keras

3. Saiz & Gred Kualiti Tersedia

VeTek menawarkan wafer AlN dalam format standard berikut. Saiz dan spesifikasi tersuai boleh dibincangkan atas permintaan.

• Substrat persegi 10 × 10 mm

• Wafer 1 inci (25.4 mm).

• Wafer 2 inci (50.8 mm).

Gred kualiti: gred P (Produk), gred R (Penyelidikan), gred D (Eksperimen), dibezakan terutamanya oleh FWHM lengkung goyang HR-XRD dan kualiti kristal keseluruhan.

4. Spesifikasi Teknikal Utama

Parameter biasa merentas saiz (nilai biasa; bergantung gred jika dinyatakan):

Toleransi geometri khusus saiz:

• 10×10 mm: Panjang sisi 10 mm ± 0.5 mm; TTV ≤ 15 μm; Tunduk ≤ 15 μm

• 1 inci: Diameter 25.4 mm ± 0.5 mm; Kawasan boleh guna ≥ 90%; TTV ≤ 20 μm; Tunduk ≤ 20 μm; Rata primer (10-10) ± 5°, panjang 8 mm ± 1 mm

• 2 inci: Diameter 50.8 mm ± 0.5 mm; Kawasan boleh guna ≥ 90%; TTV ≤ 30 μm; Tunduk ≤ 30 μm; Panjang rata utama 16 mm ± 2 mm

5. Mengapa Memilih Wafer VeTek AlN?

Sebagai pembekal khusus bahan dan komponen semikonduktor termaju, VeTek Semiconductor menyediakan:

• Wafer kristal tunggal AlN berkualiti tinggi dengan kualiti kristal terkawal dan permukaan sedia epi

• Pelbagai saiz dan pilihan gred untuk menyokong kedua-dua pengeluaran peranti dan program penyelidikan

• Penyelesaian wafer dan substrat pelengkap di bawah portfolio bahan semikonduktor VeTek

• Sokongan teknikal untuk pemilihan bahan dan pemadanan proses

Wafer AlN kami membantu pelanggan mempercepatkan pembangunan peranti RF berkuasa tinggi, kuasa voltan tinggi dan peranti optoelektronik UV dalam yang menuntut gabungan unik jurang jalur ultra lebar, kekonduksian haba yang tinggi dan keserasian GaN yang ditawarkan oleh aluminium nitrida.