VEECO MOCVD Providence

Ia semikonduktorVeeco MocvdPENGENDALI WAFER adalah komponen kritikal, dengan teliti direkayasa menggunakan grafit ultrapure dengan asalutan karbida silikon (sic). IniSalutan sicMenyediakan banyak faedah, terutamanya membolehkan pemindahan terma yang cekap ke substrat. Mencapai pengedaran terma yang optimum di seluruh substrat adalah penting untuk kawalan suhu seragam, memastikan pemendapan filem nipis yang berkualiti tinggi, yang penting dalam fabrikasi peranti semikonduktor.

Parameter teknikal

Matriks sifat bahan

Petunjuk Utama Vetek Penyelesaian Tradisional Standard

Kesucian bahan asas 6n grafit isostatik 5n grafit acuan

Ijazah Pencocokan CTE (25-1400 ℃) Δα ≤0.3 × 10⁻⁶/ k δα ≥1.2 × 10⁻⁶/ k

Kekonduksian terma @800 ℃ 110 w/m · k 85 w/m · k

Kekasaran permukaan (RA) ≤0.1μm ≥0.5μm

Toleransi asid (pH = 1@80 ℃) 1500 kitaran 300 kitaran

Rekonstruksi Kelebihan Teras

Inovasi Pengurusan Thermal

Teknik Pencocokan CTE Atom

Jepun Toyo Carbon Graphite/SGL Substrat + Gradien SIC Coating

Tekanan kitaran haba dikurangkan sebanyak 82% (diukur 1400 ℃↔RT 500 kitaran tanpa retak)

Reka bentuk medan terma pintar

Struktur pampasan suhu 12-zon: mencapai keseragaman ± 0.5 ℃ pada permukaan wafer φ200mm

Respons termal dinamik: Kecerunan suhu ≤1.2 ℃/cm pada kadar pemanasan 5 ℃/s

Sistem Perlindungan Kimia
Halangan komposit tiga

Lapisan Perlindungan Utama SIC 50μm

Lapisan Peralihan Nanotac (Pilihan)

Penyusutan fasa gas

Disahkan oleh ASTM G31-21:

Kadar kakisan asas CL <0.003mm/tahun

NH3 terdedah untuk 1000h tanpa kakisan sempadan bijirin

Sistem Pembuatan Pintar

Pemprosesan kembar digital

Pusat Pemesinan Lima Paksi: Ketepatan Kedudukan ± 1.5μm

Pemeriksaan Pengimbasan 3D dalam talian: Pengesahan saiz penuh 100% (mengikut ASME Y14.5)

Pembentangan nilai berasaskan senario

Pengeluaran Massa Semikonduktor Generasi Ketiga

Parameter Proses Senario Aplikasi Manfaat Pelanggan

GAN HEMT 6 inci /150μm epitaxial dua dimensi turun naik ketumpatan gas <2%

SIC MOSFET C Keseragaman Doping ± 3% sisihan voltan ambang dikurangkan sebanyak 40%

Keseragaman panjang gelombang Mikro LED ± 1.2nm kadar bin cip meningkat sebanyak 15%

Pengoptimuman kos penyelenggaraan

Tempoh pembersihan dilanjutkan sebanyak 3 kali: HF: HNO ₃ = 1: 3 pembersihan intensiti tinggi disokong

Sistem Ramalan Hidup Spare: Ketepatan Algoritma AI ± 5%

Vetek Semikonduktor Veoeco MOCVD Kedai: