Pusat pengumpul salutan sic

Vetek Semiconductor SIC Coating Collector Centre memainkan peranan penting dalam pengeluaran proses EPI semikondukor. Ia adalah salah satu komponen utama yang digunakan untuk pengedaran gas dan kawalan dalam ruang reaksi epitaxial. Selamat datang untuk menyiasat kami mengenaiSalutan sicdanSalutan TACdi kilang kami.

Peranan pusat pengumpul salutan SIC adalah seperti berikut:

● Pengagihan gas: Pusat Pemungut Salutan SIC digunakan untuk memperkenalkan gas yang berbeza ke dalam ruang tindak balas epitaxial. Ia mempunyai pelbagai saluran masuk dan cawangan yang boleh mengedarkan gas yang berbeza ke lokasi yang dikehendaki untuk memenuhi keperluan pertumbuhan epitaxial tertentu.

● Kawalan gas: SIC Coating Collector Centre mencapai kawalan tepat setiap gas melalui injap dan peranti kawalan aliran. Kawalan gas yang tepat ini penting untuk kejayaan proses pertumbuhan epitaxial untuk mencapai kepekatan gas dan kadar aliran yang dikehendaki, memastikan kualiti dan konsistensi filem.

● Keseragaman: Reka bentuk dan susun atur cincin pengumpulan gas pusat membantu mencapai pengedaran gas seragam. Melalui laluan aliran gas yang munasabah dan mod pengedaran, gas sama rata dicampur dalam ruang tindak balas epitaxial, untuk mencapai pertumbuhan seragam filem.

Dalam pembuatan produk epitaxial, pusat pengumpul salutan SIC memainkan peranan penting dalam kualiti, ketebalan dan keseragaman filem. Melalui pengagihan dan kawalan gas yang betul, pusat pengumpul salutan SIC dapat memastikan kestabilan dan konsistensiProses pertumbuhan epitaxial, untuk mendapatkan filem epitaxial berkualiti tinggi.

Berbanding dengan Pusat Pemungut Grafit, pusat pengumpul bersalut SIC adalah peningkatan kekonduksian terma, keterkaitan kimia yang dipertingkatkan, dan rintangan kakisan yang unggul. Salutan karbida silikon dengan ketara meningkatkan keupayaan pengurusan terma bahan grafit, yang membawa kepada keseragaman suhu yang lebih baik dan pertumbuhan filem yang konsisten dalam proses epitaxial. Di samping itu, salutan menyediakan lapisan perlindungan yang menentang kakisan kimia, memanjangkan jangka hayat komponen grafit. Secara keseluruhan, TheSilicon Carbide-CoatedBahan grafit menawarkan kekonduksian terma yang unggul, inertness kimia, dan rintangan kakisan, memastikan kestabilan yang dipertingkatkan dan pertumbuhan filem berkualiti tinggi dalam proses epitaxial.

Struktur Kristal Filem CVD SIC:

Sifat fizikal asas salutan CVD sic

Ia semikonduktorPusat pengumpul salutan sicKedai Pengeluaran