Susceptor Grafit Bersalut SiC untuk MOCVD

Susceptor grafit bersalut SIC Vetek Semiconductor untuk MOCVD adalah pembawa grafit bersalut SIC yang tinggi, yang direka khusus untuk pertumbuhan lapisan epitaxial pada cip wafer. Sebagai komponen pusat dalam pemprosesan MOCVD, biasanya dibentuk sebagai gear atau cincin, ia mempunyai rintangan haba yang luar biasa dan rintangan kakisan, memastikan kestabilan dalam persekitaran yang melampau.

Ciri-ciri Utama Susceptor Grafit Bersalut SiC MOCVD:

● Salutan tahan serpihan: Memastikan litupan salutan SiC seragam pada semua permukaan, mengurangkan risiko detasmen zarah

●   Tahan Pengoksidaan Suhu Tinggi yang Cemerlangce: Kekal stabil pada suhu sehingga 1600°C

●   Ketulenan Tinggi: Dihasilkan melalui pemendapan wap kimia CVD, sesuai untuk keadaan pengklorinan suhu tinggi

●   Rintangan Kakisan Unggul: Sangat tahan terhadap asid, alkali, garam, dan reagen organik

●   Corak Aliran Udara Laminar Dioptimumkan: Meningkatkan keseragaman dinamik aliran udara

● Pengagihan terma seragam: Memastikan pengagihan haba yang stabil semasa proses suhu tinggi

● Pencegahan pencemaran: Menghalang penyebaran bahan cemar atau kekotoran, memastikan kebersihan wafer

Di VeTek Semiconductor, kami mematuhi piawaian kualiti yang ketat, menyampaikan produk dan perkhidmatan yang boleh dipercayai kepada pelanggan kami. Kami hanya memilih bahan premium, berusaha untuk memenuhi dan melebihi keperluan prestasi industri. Susceptor Grafit Bersalut SiC kami untuk MOCVD menunjukkan komitmen terhadap kualiti ini. Hubungi kami untuk mengetahui lebih lanjut tentang cara kami boleh menyokong keperluan pemprosesan wafer semikonduktor anda.

Struktur Kristal Filem CVD SIC:

Sifat Fizikal Asas Salutan CVD SIC:

Ia semikonduktor MOCVD Reseptor Grafit Bersalut SiC: