Serbuk SiC Ketulenan Tinggi untuk Pertumbuhan Kristal SiC

1. Ciri-ciri Utama

· Tahap Ketulenan Tinggi:Keupayaan ketulenan mencapai sehingga 99.9999% (gred 6N).

· Kekotoran Logam Sangat Rendah:Pencemaran logam surih yang diminimumkan dioptimumkan untuk pertumbuhan kristal SiC.

· Ketelusan Penuh:Data ujian GDMS (Glow Discharge Mass Spectrometri) penuh tersedia untuk setiap kelompok.

· Prestasi Terma Stabil:Tingkah laku sublimasi yang boleh diramal dan seragam semasa pertumbuhan PVT berjalan.

· Pengagihan Saiz Zarah Terkawal:Granulometri dipantau dengan teliti untuk mengekalkan ketumpatan pembungkusan yang konsisten.

· Formulasi Disesuaikan:Saiz zarah tersuai dan lengkung pengedaran tersedia atas permintaan.

· Standard Kualiti Semikonduktor:Dikilangkan secara ketat di bawah sistem pengurusan kualiti gred semikonduktor.

2. Visual Produk

3. Spesifikasi Teknikal

4. Aplikasi

· Pertumbuhan Kristal SiC PVT:Jongkong SiC konduktif & Separa Penebat.

· Substrat Semikonduktor:Substrat wafer & bahan mentah pemprosesan epitaxial.

· Komponen Terma Tinggi:Komponen seramik termaju dan salutan susceptor.

· Aplikasi R&D:Penyelidikan elektronik kuasa generasi akan datang dan peranti frekuensi tinggi.

5. Mengapa Memilih Semikonduktor VeTek?

· Pembersihan hak milik:Teknik penulenan lanjutan yang memberikan ketulenan 6N untuk pertumbuhan kristal tunggal.

· Kawalan Kualiti yang Ketat:Jaminan kualiti yang berdedikasi dengan kawalan pencemaran gred semikonduktor yang ketat.

· Fleksibiliti Penyesuaian:Saiz zarah tersuai yang fleksibel agar sesuai dengan spesifikasi pijar relau PVT yang berbeza.

· Rantaian Bekalan Stabil:Kapasiti bekalan yang boleh dipercayai menjamin penghantaran pengeluaran besar-besaran jangka panjang yang stabil.

· Kepakaran Teknikal:Sokongan teknikal lengkap yang disesuaikan dengan proses pertumbuhan kristal khusus anda.