Produk
Pembawa RTP RTA grafit bersalut CVD Silicon Carbide (SiC).
  • Pembawa RTP RTA grafit bersalut CVD Silicon Carbide (SiC).Pembawa RTP RTA grafit bersalut CVD Silicon Carbide (SiC).
  • Pembawa RTP RTA grafit bersalut CVD Silicon Carbide (SiC).Pembawa RTP RTA grafit bersalut CVD Silicon Carbide (SiC).

Pembawa RTP RTA grafit bersalut CVD Silicon Carbide (SiC).

Pembawa RTP RTA Bersalut VETEK CVD Silicon Carbide (SiC) direka untuk pemprosesan terma pantas (RTP) dan sistem penyepuhlindapan terma pantas (RTA) yang digunakan dalam pembuatan semikonduktor. Dihasilkan daripada grafit isostatik ketulenan tinggi dengan salutan SiC CVD yang padat, ia memberikan kestabilan haba yang luar biasa, keseragaman suhu yang sangat baik, rintangan kimia yang unggul dan penjanaan zarah ultra rendah. Direkayasa untuk menahan kitaran pemanasan dan penyejukan pantas yang berulang, pembawa memastikan sokongan wafer yang boleh dipercayai dan prestasi proses yang stabil untuk penyepuhlindapan wafer silikon dan aplikasi semikonduktor suhu tinggi yang lain.

Ciri-ciri Produk

· Peralatan Teras:Direka untuk sistem Rapid Thermal Annealing (RTA) dan Rapid Thermal Processing (RTP).

· Primary Application: Dioptimumkan untuk proses penyepuhlindapan wafer semikonduktor.

· Opepenilaian Tesuhu:Operasi stabil dari 200°C hingga 700°C.

· Excellent TherKeseragaman mal: Memastikan pengagihan haba sekata untuk pemprosesan wafer yang konsisten.

· Zarah RendahGpenjanaan: Salutan SiC CVD padat meminimumkan pencemaran dan meningkatkan hasil pengeluaran.

· Rintangan Kimia Unggul:Tahan kepada pengoksidaan dan gas proses menghakis semasa pemprosesan haba.

· Luar biasag Termaal Ketahanan Kejutan: Mengekalkan integriti struktur melalui kitaran pemanasan dan penyejukan pantas berulang.

· Hayat Perkhidmatan Panjang:Salutan SiC tahan haus memanjangkan hayat komponen dengan ketara dan mengurangkan kos penyelenggaraan.

· AdatPembuatan:Tersedia dalam pelbagai saiz dan konfigurasi untuk memadankan peralatan RTP/RTA yang berbeza.


Spesifikasi Teknikal

Sifat Fizikal Asas Salutan SiC CVD
Harta benda
Nilai Biasa
Struktur Kristal
polihablur fasa FCC β, terutamanya berorientasikan (111).
Ketumpatan
3.21 g/cm³
Kekerasan
2500 Vickers kekerasan (500 g beban)
Saiz Bijirin
2–10 μm
Ketulenan Kimia
99.99995%
Kapasiti Haba
640 J·kg⁻¹·K⁻¹
Suhu Sublimasi
2700°C
Kekuatan lentur
415 MPa (RT, lenturan 4 mata)
Modulus Muda
430 GPa (4 mata lentur, 1300°C)
Kekonduksian Terma
300 W·m⁻¹·K⁻¹
Pekali Pengembangan Terma (CTE)
4.5 × 10⁻⁶ K⁻¹

Aplikasi

·Penyepuhlindapan Terma Pantas (RTA)

· Pemprosesan Terma Pantas (RTP)

· Penyepuhlindapan Wafer Silikon

· Pengaktifan Dopan

· Pengoksidaan

· Penyebaran

·Pembuatan Semikonduktor Kompaun

·Pembuatan MEMS

·Pemprosesan Semikonduktor Kuasa


Soalan Lazim

1. Apakah itu Pembawa RTP/RTA?

Pembawa RTP/RTA ialah komponen sokongan wafer yang digunakan di dalam pemprosesan terma pantas dan sistem penyepuhlindapan terma pantas. Ia memegang wafer semikonduktor dengan selamat sambil menyediakan pemindahan haba seragam sepanjang kitaran haba.

2. Mengapa salutan CVD SiC diutamakan?

Berbanding dengan grafit kosong, salutan CVD SiC menawarkan rintangan pengoksidaan yang unggul, penjanaan zarah yang lebih rendah, kestabilan kimia yang lebih baik, dan hayat perkhidmatan yang jauh lebih lama.

3. Bolehkah VETEK menyediakan pembawa RTP/RTA yang disesuaikan?

ya. VETEK menawarkan pembawa RTP/RTA tersuai berdasarkan lukisan pelanggan.


Hantar Pertanyaan
Maklumat Hubungan
For inquiries about Silicon Carbide Coating, Tantalum Carbide Coating, Special Graphite or price list, please leave your email to us and we will be in touch within 24 hours.
X
Kami menggunakan kuki untuk menawarkan anda pengalaman menyemak imbas yang lebih baik, menganalisis trafik tapak dan memperibadikan kandungan. Dengan menggunakan tapak ini, anda bersetuju dengan penggunaan kuki kami. Dasar Privasi
TolakTerima