CVD SIC Pancake Susceptor

Ia semikonduktor Secceptor CVD SIC Pancake dihasilkan menggunakan teknologi pemendapan wap kimia terkini (CVD) untuk memastikan ketahanan yang sangat baik dan penyesuaian suhu yang melampau. Berikut adalah sifat fizikal utamanya:

● Kestabilan terma: Kestabilan terma tinggi CVD SIC memastikan prestasi yang stabil di bawah keadaan suhu tinggi.

● Koefisien pengembangan haba yang rendah: Bahan ini mempunyai pekali pengembangan haba yang sangat rendah, yang meminimumkan warping dan ubah bentuk yang disebabkan oleh perubahan suhu.

● Rintangan kakisan kimia: Rintangan kimia yang sangat baik membolehkannya mengekalkan prestasi tinggi dalam pelbagai persekitaran yang keras.

Sokongan yang tepat dan pemindahan haba yang dioptimumkan

SIC SIC SIC SPISED VETEKSEMI direka untuk menampung wafer semikonduktor dan memberikan sokongan yang sangat baik semasa pemendapan epitaxial. SIC Pancake Susceptor direka menggunakan teknologi simulasi pengiraan lanjutan untuk meminimumkan warping dan ubah bentuk di bawah keadaan suhu dan tekanan yang berbeza. Koefisien pengembangan haba tipikalnya adalah kira -kira 4.0 × 10^-6/° C, yang bermaksud bahawa kestabilan dimensinya jauh lebih baik daripada bahan tradisional dalam persekitaran suhu tinggi, dengan itu memastikan konsistensi ketebalan wafer (biasanya 200 mm hingga 300 mm).

Di samping itu, Susceptor Pancake CVD cemerlang dalam pemindahan haba, dengan kekonduksian terma sehingga 120 W/m · k. Kekonduksian terma yang tinggi ini dapat dengan cepat dan berkesan menjalankan haba, meningkatkan keseragaman suhu dalam relau, memastikan pengagihan haba seragam semasa pemendapan epitaxial, dan mengurangkan kecacatan pemendapan yang disebabkan oleh haba yang tidak rata. Prestasi pemindahan haba yang dioptimumkan adalah penting untuk meningkatkan kualiti pemendapan, yang dapat mengurangkan turun naik proses dan meningkatkan hasil.

Melalui pengoptimuman reka bentuk dan prestasi ini, Vetek Semiconductor's CVD SIC Pancake Susceptor menyediakan asas yang kukuh untuk pembuatan semikonduktor, memastikan kebolehpercayaan dan konsistensi di bawah keadaan pemprosesan yang keras dan memenuhi keperluan ketat industri semikonduktor moden untuk ketepatan dan kualiti yang tinggi.

Struktur kristal filem cvd sic

Sifat fizikal asas salutan CVD sic

Sifat fizikal asas salutan CVD sic
Harta	Nilai tipikal
Struktur kristal	FCC β fasa polikristalin, terutamanya (111) berorientasikan
Ketumpatan	3.21 g/cm³
Kekerasan	2500 kekerasan Vickers (beban 500g）
Saiz bijian	2 ~ 10mm
Kesucian kimia	99.99995%
Kapasiti haba	640 J · kg-1· K-1
Suhu sublimasi	2700 ℃
Kekuatan lentur	415 MPA RT 4-point
Modulus Young	430 gpa 4pt bend, 1300 ℃
Kekonduksian terma	300W · m-1· K-1
Pengembangan terma (CTE)	4.5 × 10-6K-1