Grafit tiga-petal crucible

Grafit tiga-petal Vetek Semiconductor yang direka untuk proses pertumbuhan silikon monocrystalline oleh kaedah CZ, grafit struktur tiga-petal yang boleh diperbuat daripada bahan grafit kesucian tinggi isostatik. Melalui struktur tiga-petal yang inovatif, crucible bersepadu tradisional dapat menyelesaikan masalah pembongkaran, kepekatan tekanan haba dan titik sakit industri lain, dan digunakan secara meluas dalam wafer silikon fotovoltaik, wafer semikonduktor dan medan pembuatan mewah yang lain.

Proses teras menyoroti

1. Teknologi pemprosesan grafit ultra-ketepatan

Kesucian Bahan: Penggunaan substrat grafit ditekan isostatik dengan kandungan abu <5ppm jika diperlukan dan umumnya ＜ 10ppm untuk memastikan pencemaran sifar dalam proses pencairan silikon

Pengukuhan Struktur: Setelah diikat pada 2200 ℃, kekuatan lentur adalah ≥45mpa, dan pekali pengembangan haba ialah ≤4.6 × 10⁻⁶/℃

Rawatan permukaan: Salutan karbon pirolytik 10-15μm disimpan oleh proses CVD untuk meningkatkan rintangan pengoksidaan (penurunan berat badan <1.5%/100h@1600 ℃).

2. Reka bentuk struktur tiga-petal inovatif

Perhimpunan Modular: 120 ° Struktur Tiga Lobe, Kecekapan Pemasangan dan Pembongkaran Tiga meningkat sebanyak 300%

Reka bentuk pelepasan tekanan: Struktur perpecahan berkesan menyebarkan tekanan pengembangan terma dan memanjangkan hayat perkhidmatan kepada lebih daripada 200 kitaran

Fit Precision: Jurang antara injap adalah <0.1mm, dan pelekat seramik suhu tinggi memastikan kebocoran sifar dalam proses pencairan silikon

3. Perkhidmatan pemprosesan yang disesuaikan

Sokongan φ16 "-φ40" penyesuaian bersaiz penuh, kawalan toleransi ketebalan dinding ± 0.5mm

Struktur ketumpatan kecerunan 1.83g/cm³ boleh dipilih untuk mengoptimumkan pengedaran medan terma

Sediakan proses tambah nilai seperti salutan komposit boron nitride dan pengukuhan kelebihan logam rhenium

Senario aplikasi biasa

Industri Photovoltaic

Monocrystalline Silicon Rod Lukisan Berterusan: Sesuai untuk Pengeluaran Wafer Silicon G12 Saiz Besar, Sokongan ≥500kg Kapasiti Memuat

Bateri Topcon N-Type: Penghijrahan Pencemaran Ultra-rendah menjamin kehidupan minoriti> 2ms

Peningkatan Lapangan Thermal: Serasi dengan model relau kristal tunggal arus perdana (PVI, Ferrotec, dan lain -lain)

Pembuatan Semikonduktor

8-12 inci semikonduktor gred monocrystalline silikon Pertumbuhan: memenuhi keperluan kebersihan kelas separuh standard

Kristal doped khas: Kawalan tepat keseragaman pengedaran boron/fosforus

Semikonduktor Generasi Ketiga: Proses Penyediaan Kristal Sing Sic yang serasi

Bidang penyelidikan saintifik

Penyelidikan dan pembangunan wafer silikon ultra tipis untuk sel solar ruang

Ujian Pertumbuhan Bahan Kristal Baru (Germanium, Gallium Arsenide)

Had Parameter Penyelidikan (3000 ℃ Eksperimen lebur suhu ultra tinggi)

Sistem Jaminan Kualiti

ISO 9001/14001 Persijilan Sistem Dual

Sediakan Laporan Ujian Bahan untuk Pelanggan (Analisis Komposisi XRD, Mikrostruktur SEM)

Sistem Kebolehpercayaan Proses Keseluruhan (Penandaan Laser + Penyimpanan Blockchain)