Cincin Penutup Wafer Grafit Bersalut TaC

Kelebihan Teknikal Teras

• Rintangan Kimia yang Luar Biasa: Dicipta untuk menahan gas etsa yang keras (H₂, NH₃, HCl) pada suhu antara 1200°C dan 2000°C.

• Pemadanan Pengembangan Terma: Proses CVD proprietari kami memastikan salutan TaC mempunyai padanan CTE (Coefficient of Thermal Expansion) yang dioptimumkan dengan substrat grafit, menghalang pengelupasan atau retak semasa kitaran haba yang pantas.

• Kawalan Zarah Unggul: Dengan menutup sepenuhnya grafit berliang, lapisan TaC menghapuskan penumpahan zarah, secara langsung meningkatkan hasil wafer anda dan mengurangkan masa henti reaktor.

• Dipanjangkan Hayat Perkhidmatan: Permukaan yang sangat tahan haus yang menahan kitaran pembersihan berulang, menawarkan Kos Pemilikan (CoO) yang jauh lebih rendah berbanding alternatif yang tidak bersalut atau bersalut SiC.

Salutan tantalum karbida (TaC) pada keratan rentas mikroskopik

Parameter produk Cincin Penutup Wafer Grafit Bersalut TaC

Mengapa Memilih Cincin Penutup TaC Kami?

Kami memahami bahawa dalam fabrikasi semikonduktor, kebolehpercayaan sama dengan keuntungan. Cincin Penutup Wafer Grafit Bersalut TaC kami diuji secara kelompok untuk ketumpatan dan ketulenan salutan. Sama ada anda sedang beralih daripada pengeluaran wafer 6-inci kepada 8-inci atau mengoptimumkan proses MOCVD suhu tinggi, gelang kami menyediakan perisai haba dan kimia yang diperlukan untuk epitaksi bertaraf dunia.