Berita

Dalam industri pembuatan semikonduktor, kerana saiz peranti terus mengecut, teknologi pemendapan bahan -bahan filem nipis telah menimbulkan cabaran yang belum pernah terjadi sebelumnya. Pemendapan lapisan atom (ALD), sebagai teknologi pemendapan filem nipis yang dapat mencapai kawalan yang tepat pada tahap atom, telah menjadi sebahagian daripada pembuatan semikonduktor. Artikel ini bertujuan untuk memperkenalkan aliran proses dan prinsip -prinsip ALD untuk membantu memahami peranan pentingnya dalam pembuatan cip lanjutan.

Adalah sesuai untuk membina litar bersepadu atau peranti semikonduktor pada lapisan asas kristal yang sempurna. Proses Epitaxy (EPI) dalam pembuatan semikonduktor bertujuan untuk mendepositkan lapisan tunggal kristal tunggal, biasanya kira-kira 0.5 hingga 20 mikron, pada substrat satu kristal. Proses epitaxy merupakan langkah penting dalam pembuatan peranti semikonduktor, terutamanya dalam pembuatan wafer silikon.

Perbezaan utama antara pemendapan lapisan epitaxy dan atom (ALD) terletak pada mekanisme pertumbuhan filem mereka dan keadaan operasi. Epitaxy merujuk kepada proses mengembangkan filem nipis kristal pada substrat kristal dengan hubungan orientasi tertentu, mengekalkan struktur kristal yang sama atau serupa. Sebaliknya, ALD adalah teknik pemendapan yang melibatkan mendedahkan substrat kepada prekursor kimia yang berlainan dalam urutan untuk membentuk satu lapisan nipis satu lapisan atom pada satu masa.

Salutan CVD TAC adalah proses untuk membentuk salutan yang padat dan tahan lama pada substrat (grafit). Kaedah ini melibatkan mendepositkan TAC ke permukaan substrat pada suhu tinggi, mengakibatkan salutan Tantalum Carbide (TAC) dengan kestabilan haba yang sangat baik dan rintangan kimia.

Apabila proses silikon karbida 8 inci (SIC) matang, pengeluar mempercepatkan peralihan dari 6 inci hingga 8 inci. Baru-baru ini, pada Semiconductor dan Resonac mengumumkan kemas kini mengenai pengeluaran SIC 8 inci.

Artikel ini memperkenalkan perkembangan terkini dalam reaktor CVD dinding panas PE1O8 yang baru direka bentuk bagi syarikat Itali LPE dan keupayaannya untuk melakukan epitaksi 4H-SiC seragam pada 200mm SiC.