Teknologi MOCVD

VeTek Semiconductor mempunyai kelebihan dan pengalaman dalam alat ganti Teknologi MOCVD.

MOCVD, nama penuh Pemendapan Wap Kimia Logam-Organik (Pemendapan Wap Kimia logam-organik), juga boleh dipanggil epitaksi fasa wap logam-organik. Sebatian Organologam ialah kelas sebatian dengan ikatan logam-karbon. Sebatian ini mengandungi sekurang-kurangnya satu ikatan kimia antara logam dan atom karbon. Sebatian logam-organik sering digunakan sebagai prekursor dan boleh membentuk filem nipis atau struktur nano pada substrat melalui pelbagai teknik pemendapan.

Pemendapan wap kimia logam-organik (teknologi MOCVD) ialah teknologi pertumbuhan epitaxial biasa, teknologi MOCVD digunakan secara meluas dalam pembuatan laser semikonduktor dan led. Terutama apabila menghasilkan led, MOCVD ialah teknologi utama untuk penghasilan galium nitrida (GaN) dan bahan berkaitan.

Terdapat dua bentuk utama Epitaksi: Epitaksi Fasa Cecair (LPE) dan Epitaksi Fasa Wap (VPE). Epitaksi fasa gas boleh dibahagikan lagi kepada pemendapan wap kimia logam-organik (MOCVD) dan epitaksi rasuk molekul (MBE).

Pengeluar peralatan asing kebanyakannya diwakili oleh Aixtron dan Veeco. Sistem MOCVD ialah salah satu peralatan utama untuk pembuatan laser, led, komponen fotoelektrik, kuasa, peranti RF dan sel solar.

Ciri-ciri utama alat ganti teknologi MOCVD yang dikeluarkan oleh syarikat kami:

1) Ketumpatan tinggi dan enkapsulasi penuh: asas grafit secara keseluruhan berada dalam suhu tinggi dan persekitaran kerja yang menghakis, permukaan mesti dibalut sepenuhnya, dan salutan mesti mempunyai ketumpatan yang baik untuk memainkan peranan perlindungan yang baik.

2) Kerataan permukaan yang baik: Oleh kerana asas grafit yang digunakan untuk pertumbuhan kristal tunggal memerlukan kerataan permukaan yang sangat tinggi, kerataan asal asas perlu dikekalkan selepas salutan disediakan, iaitu lapisan salutan mestilah seragam.

3) Kekuatan ikatan yang baik: Kurangkan perbezaan dalam pekali pengembangan terma antara asas grafit dan bahan salutan, yang boleh meningkatkan kekuatan ikatan antara kedua-duanya dengan berkesan, dan salutan tidak mudah retak selepas mengalami haba suhu tinggi dan rendah. kitaran.

4) Kekonduksian haba yang tinggi: pertumbuhan cip berkualiti tinggi memerlukan asas grafit untuk memberikan haba yang cepat dan seragam, jadi bahan salutan harus mempunyai kekonduksian terma yang tinggi.

5) Takat lebur yang tinggi, rintangan pengoksidaan suhu tinggi, rintangan kakisan: salutan harus dapat berfungsi secara stabil dalam suhu tinggi dan persekitaran kerja yang menghakis.

Letakkan substrat 4 inci
Epitaksi biru-hijau untuk pertumbuhan LED
Bertempat di ruang reaksi
Sentuhan langsung dengan wafer Letakkan substrat 4 inci
Digunakan untuk mengembangkan filem epitaxial LED UV
Bertempat di ruang reaksi
Sentuhan langsung dengan wafer Mesin Veeco K868/Veeco K700
Epitaksi LED putih/Epitaksi LED biru-hijau Digunakan dalam Peralatan VEECO
Untuk MOCVD Epitaxy
Suseptor Salutan SiC Peralatan Aixtron TS
Epitaksi Ultraviolet Dalam
Substrat 2 inci Peralatan Veeco
Epitaksi LED Merah-Kuning
Substrat Wafer 4 inci Susceptor Bersalut TaC
(SiC Epi/ Penerima LED UV) Suseptor Bersalut SiC
(ALD/ Si Epi/ Susceptor MOCVD LED)