Teknologi & penyelesaian

Memilih CVD SiC, salutan TaC atau Solid SiC yang betul menentukan tahap zarah dan jangka hayat komponen pada garisan epitaksi/etsa. Artikel ini menyediakan sempadan pemilihan yang jelas mengikut suhu, suasana dan proses, dipadankan dengan penyelesaian penggantian peralatan utama dan metrik utama, untuk membantu anda membuat keputusan pantas dan mengurangkan risiko.

Temui cara teknologi laser berpandukan air VeTek memberikan lubang tembus Φ0.15mm seragam dalam substrat SiC 2mm tanpa tirus, HAZ minimum dan hasil tinggi untuk aplikasi semikonduktor.

Isu teknikal yang paling mencabar untuk pin lif berongga peralatan semikonduktor bukanlah salutan permukaan luar, tetapi mencapai salutan CVD yang stabil dan seragam pada dinding dalam struktur berongga. Daripada kawalan keseragaman salutan dinding dalaman kepada jaminan kebersihan lubang dalaman, setiap langkah proses secara langsung mempengaruhi hasil wafer. Artikel ini menganalisis cabaran teras salutan dinding dalam pin lif berongga dan laluan teknikal utama.