Berita

Berita

Kami berbesar hati untuk berkongsi dengan anda tentang hasil kerja kami, berita syarikat dan memberi anda perkembangan tepat pada masanya serta syarat pelantikan dan penyingkiran kakitangan.
Peralatan pengukuran apa yang terdapat di kilang fab? - Vetek Semiconductor25 2024-11

Peralatan pengukuran apa yang terdapat di kilang fab? - Vetek Semiconductor

Terdapat banyak jenis peralatan pengukuran di kilang Fab. Peralatan umum termasuk peralatan pengukuran proses litografi, peralatan pengukuran proses etsa, peralatan pengukuran proses pemendapan filem nipis, peralatan pengukuran proses doping, peralatan pengukuran proses CMP, peralatan pengesanan zarah wafer dan peralatan pengukuran yang lain.
Bagaimanakah salutan TAC meningkatkan hayat perkhidmatan komponen grafit? - Vetek Semiconductor22 2024-11

Bagaimanakah salutan TAC meningkatkan hayat perkhidmatan komponen grafit? - Vetek Semiconductor

Salutan Tantalum karbida (TaC) boleh memanjangkan hayat bahagian grafit dengan ketara dengan meningkatkan rintangan suhu tinggi, rintangan kakisan, sifat mekanikal dan keupayaan pengurusan haba. Ciri ketulenannya yang tinggi mengurangkan pencemaran kekotoran, meningkatkan kualiti pertumbuhan kristal, dan meningkatkan kecekapan tenaga. Ia sesuai untuk pembuatan semikonduktor dan aplikasi pertumbuhan kristal dalam persekitaran suhu tinggi dan sangat menghakis.
Apakah aplikasi spesifik bahagian bersalut TAC dalam bidang semikonduktor?22 2024-11

Apakah aplikasi spesifik bahagian bersalut TAC dalam bidang semikonduktor?

Salutan Tantalum Carbide (TAC) digunakan secara meluas dalam medan semikonduktor, terutamanya untuk komponen reaktor pertumbuhan epitaxial, komponen utama pertumbuhan kristal, komponen perindustrian suhu tinggi, pemanas sistem mocvd dan pembawa wafer.
Kenapa SIC Coated Graphite Susceptor gagal? - Vetek Semiconductor21 2024-11

Kenapa SIC Coated Graphite Susceptor gagal? - Vetek Semiconductor

Semasa proses pertumbuhan epitaxial SiC, kegagalan penggantungan grafit bersalut SiC mungkin berlaku. Kertas kerja ini menjalankan analisis yang teliti tentang fenomena kegagalan penggantungan grafit bersalut SiC, yang terutamanya merangkumi dua faktor: kegagalan gas epitaxial SiC dan kegagalan salutan SiC.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept