Berita

Salutan Tantalum Carbide (TAC) digunakan secara meluas dalam medan semikonduktor, terutamanya untuk komponen reaktor pertumbuhan epitaxial, komponen utama pertumbuhan kristal, komponen perindustrian suhu tinggi, pemanas sistem mocvd dan pembawa wafer.

Semasa proses pertumbuhan epitaxial SiC, kegagalan penggantungan grafit bersalut SiC mungkin berlaku. Kertas kerja ini menjalankan analisis yang teliti tentang fenomena kegagalan penggantungan grafit bersalut SiC, yang terutamanya merangkumi dua faktor: kegagalan gas epitaxial SiC dan kegagalan salutan SiC.

Artikel ini terutamanya membincangkan kelebihan proses masing-masing dan perbezaan proses epitaxy rasuk molekul dan teknologi pemendapan wap kimia logam-organik.

VeTek Semiconductor's Porous Tantalum Carbide, sebagai generasi baharu bahan pertumbuhan kristal SiC, mempunyai banyak sifat produk yang sangat baik dan memainkan peranan penting dalam pelbagai teknologi pemprosesan semikonduktor.

Prinsip kerja relau epitaxial adalah untuk mendepositkan bahan semikonduktor pada substrat di bawah suhu tinggi dan tekanan tinggi. Pertumbuhan epitaxial silikon adalah untuk menumbuhkan lapisan kristal dengan orientasi kristal yang sama dengan substrat dan ketebalan yang berbeza pada substrat kristal tunggal silikon dengan orientasi kristal tertentu. Artikel ini terutamanya memperkenalkan kaedah pertumbuhan epitaxial silikon: epitaksi fasa wap dan epitaksi fasa cecair.

Pemendapan wap kimia (CVD) dalam pembuatan semikonduktor digunakan untuk mendepositkan bahan -bahan filem nipis di dalam ruang, termasuk SiO2, dosa, dan lain -lain, dan jenis yang biasa digunakan termasuk PECVD dan LPCVD. Dengan menyesuaikan jenis gas, tekanan dan gas reaksi, CVD mencapai kesucian, keseragaman dan liputan filem yang baik untuk memenuhi keperluan proses yang berbeza.

Artikel ini terutamanya menerangkan prospek aplikasi luas seramik silikon karbida. Ia juga memberi tumpuan kepada analisis punca keretakan pensinteran dalam seramik silikon karbida dan penyelesaian yang sepadan.

Teknologi etsa dalam pembuatan semikonduktor sering menghadapi masalah seperti kesan pemuatan, kesan alur mikro dan kesan pengecasan, yang menjejaskan kualiti produk. Penyelesaian penambahbaikan termasuk mengoptimumkan ketumpatan plasma, melaraskan komposisi gas tindak balas, meningkatkan kecekapan sistem vakum, mereka bentuk susun atur litografi yang munasabah, dan memilih bahan topeng goresan yang sesuai dan keadaan proses.

Sintering menekan panas adalah kaedah utama untuk menyediakan seramik SIC berprestasi tinggi. Proses sintering menekan panas termasuk: memilih serbuk SIC yang tinggi, menekan dan mencetak di bawah suhu tinggi dan tekanan tinggi, dan kemudian sintering. Seramik SIC yang disediakan oleh kaedah ini mempunyai kelebihan kesucian yang tinggi dan ketumpatan tinggi, dan digunakan secara meluas dalam cakera pengisaran dan peralatan rawatan haba untuk pemprosesan wafer.

Kaedah pertumbuhan utama Silicon Carbide (SIC) termasuk PVT, TSSG, dan HTCVD, masing -masing dengan kelebihan dan cabaran yang berbeza. Bahan-bahan medan terma berasaskan karbon seperti sistem penebat, crucibles, salutan TAC, dan grafit berliang meningkatkan pertumbuhan kristal dengan menyediakan kestabilan, kekonduksian terma, dan kesucian, penting untuk fabrikasi dan aplikasi yang tepat SIC.

SIC mempunyai kekerasan yang tinggi, kekonduksian terma, dan rintangan kakisan, menjadikannya sesuai untuk pembuatan semikonduktor. Salutan CVD SIC dicipta melalui pemendapan wap kimia, menyediakan kekonduksian terma yang tinggi, kestabilan kimia, dan pemalar kekisi yang sepadan untuk pertumbuhan epitaxial. Pengembangan terma yang rendah dan kekerasan yang tinggi memastikan ketahanan dan ketepatan, menjadikannya penting dalam aplikasi seperti pembawa wafer, cincin pemanasan, dan banyak lagi. Vetek Semiconductor mengkhususkan diri dalam salutan SIC tersuai untuk keperluan industri yang pelbagai.

Silicon Carbide (SIC) adalah bahan semikonduktor ketepatan tinggi yang dikenali dengan sifat-sifatnya yang sangat baik seperti rintangan suhu tinggi, rintangan kakisan, dan kekuatan mekanikal yang tinggi. Ia mempunyai lebih daripada 200 struktur kristal, dengan 3C-SIC menjadi satu-satunya jenis padu, yang menawarkan sphericity semulajadi yang unggul dan ketekunan berbanding dengan jenis lain. 3C-SIC menonjol untuk pergerakan elektron yang tinggi, menjadikannya sesuai untuk MOSFET dalam elektronik kuasa. Di samping itu, ia menunjukkan potensi besar dalam nanoelektronik, LED biru, dan sensor.

Diamond, potensi generasi keempat "semikonduktor muktamad," mendapat perhatian dalam substrat semikonduktor kerana kekerasannya yang luar biasa, kekonduksian terma, dan sifat elektrik. Walaupun cabaran kos dan pengeluaran yang tinggi mengehadkan penggunaannya, CVD adalah kaedah pilihan. Walaupun cabaran kristal doping dan kawasan besar, Diamond memegang janji.

SiC dan GaN ialah semikonduktor celah jalur lebar dengan kelebihan berbanding silikon, seperti voltan pecahan yang lebih tinggi, kelajuan pensuisan yang lebih pantas dan kecekapan yang unggul. SiC lebih baik untuk aplikasi berkuasa tinggi voltan tinggi kerana kekonduksian terma yang lebih tinggi, manakala GaN unggul dalam aplikasi frekuensi tinggi berkat mobiliti elektronnya yang unggul.

Penyejatan rasuk elektron adalah kaedah salutan yang sangat cekap dan digunakan secara meluas berbanding dengan pemanasan rintangan, yang memanaskan bahan penyejatan dengan rasuk elektron, menyebabkan ia mengewap dan terpeluwap menjadi filem nipis.