CVD TAC Ceret Tiga Petal Panduan

Bahan substrat kristal tunggal karbida adalah sejenis bahan kristal, yang tergolong dalam bahan semikonduktor bandgap lebar. Ia mempunyai kelebihan rintangan voltan tinggi, rintangan suhu tinggi, kekerapan tinggi, kehilangan rendah, dan lain-lain. Ia adalah bahan asas untuk penyediaan peranti elektronik kuasa tinggi dan peranti frekuensi radio gelombang mikro. Pada masa ini, kaedah utama untuk berkembang kristal SIC adalah pengangkutan wap fizikal (kaedah PVT), pemendapan wap kimia suhu tinggi (kaedah HTCVD), kaedah fasa cecair, dll.

Kaedah Pengangkutan Wap Fizikal (PVT) adalah teknik yang baik yang sangat sesuai untuk pengeluaran perindustrian skala besar. Dalam proses ini, kristal benih sic diposisikan di bahagian atas krim, manakala serbuk SIC, berfungsi sebagai bahan mentah, diletakkan di bahagian bawah yang boleh dipertahankan. Di bawah keadaan suhu tinggi dan tekanan rendah dalam persekitaran tertutup, sublimat serbuk SIC. Didorong oleh kecerunan suhu dan perbezaan kepekatan, spesies sublimasi bergerak ke arah rantau ini berhampiran kristal benih. Sebaik sahaja mencapai keadaan supersaturated, penghabluran semula berlaku, membolehkan kawalan tepat ke atas saiz dan jenis kristal spesifik kristal SIC yang ditanam.

CVD TAC bersalut tiga cincin panduan petal berfungsi dengan pelbagai fungsi penting. Terutamanya, ia meningkatkan mekanik cecair dengan membimbing aliran gas, memastikan kawasan pertumbuhan kristal terdedah kepada suasana seragam. Di samping itu, ia secara berkesan menghilangkan haba semasa proses pertumbuhan kristal SIC. Dengan mengekalkan kecerunan suhu yang sesuai, ia mengoptimumkan keadaan pertumbuhan untuk kristal SIC dan mengurangkan risiko kecacatan kristal yang disebabkan oleh pengedaran suhu yang tidak rata.