Artikel ini terutamanya menggambarkan teknologi epitaxial suhu rendah berasaskan GAN, termasuk struktur kristal bahan berasaskan GAN, 3. Keperluan teknologi epitaxial dan penyelesaian pelaksanaan, kelebihan teknologi epitaxial suhu rendah berdasarkan prinsip PVD, dan prospek pembangunan teknologi epitaxial rendah.
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies.
Privacy Policy