SiC dan GaN ialah semikonduktor celah jalur lebar dengan kelebihan berbanding silikon, seperti voltan pecahan yang lebih tinggi, kelajuan pensuisan yang lebih pantas dan kecekapan yang unggul. SiC lebih baik untuk aplikasi berkuasa tinggi voltan tinggi kerana kekonduksian terma yang lebih tinggi, manakala GaN unggul dalam aplikasi frekuensi tinggi berkat mobiliti elektronnya yang unggul.
Penyejatan rasuk elektron adalah kaedah salutan yang sangat cekap dan digunakan secara meluas berbanding dengan pemanasan rintangan, yang memanaskan bahan penyejatan dengan rasuk elektron, menyebabkan ia mengewap dan terpeluwap menjadi filem nipis.
Salutan vakum termasuk pengewapan bahan filem, pengangkutan vakum dan pertumbuhan filem nipis. Menurut kaedah pengewapan bahan dan proses pengangkutan bahan yang berbeza, salutan vakum boleh dibahagikan kepada dua kategori: PVD dan CVD.
Artikel ini menerangkan parameter fizikal dan ciri -ciri produk grafit poros Vetek semikonduktor, serta aplikasi khususnya dalam pemprosesan semikonduktor.
Pemendapan filem nipis adalah penting dalam pembuatan cip, mewujudkan peranti mikro dengan mendepositkan filem di bawah 1 mikron tebal melalui CVD, ALD, atau PVD. Proses -proses ini membina komponen semikonduktor melalui filem konduktif dan penebat yang berselang -seli.
Kami menggunakan kuki untuk menawarkan anda pengalaman menyemak imbas yang lebih baik, menganalisis trafik tapak dan memperibadikan kandungan. Dengan menggunakan tapak ini, anda bersetuju dengan penggunaan kuki kami.
Dasar Privasi