Menu Web

Carian Produk

Bahasa

Produk
Reseptor Grafit Epitaxial GaN untuk G5
  • Reseptor Grafit Epitaxial GaN untuk G5Reseptor Grafit Epitaxial GaN untuk G5
  • Reseptor Grafit Epitaxial GaN untuk G5Reseptor Grafit Epitaxial GaN untuk G5

Reseptor Grafit Epitaxial GaN untuk G5

VeTek Semiconductor ialah pengilang dan pembekal profesional, khusus untuk menyediakan susceptor Grafit Epitaxial GaN berkualiti tinggi Untuk G5. kami telah mewujudkan perkongsian jangka panjang dan stabil dengan banyak syarikat terkenal di dalam dan luar negara, memperoleh kepercayaan dan penghormatan pelanggan kami.
Hantar Pertanyaan 
Penerangan Produk

VeTek Semiconductor ialah susceptor Grafit Epitaxial China GaN profesional Untuk pengilang dan pembekal G5. Susceptor Grafit Epitaxial GaN Untuk G5 ialah komponen kritikal yang digunakan dalam sistem pemendapan wap kimia logam-organik (MOCVD) Aixtron G5 untuk pertumbuhan filem nipis galium nitrida (GaN) berkualiti tinggi, ia memainkan peranan penting dalam memastikan suhu seragam pengedaran, pemindahan haba yang cekap, dan pencemaran minimum semasa proses pertumbuhan.


Ciri -ciri utama Vetek Semikonduktor GAN Epitaxial Graphite Susceptor untuk G5:

-High Kesucian: Susceptor dibuat dari grafit yang sangat tulen dengan salutan CVD, meminimumkan pencemaran filem GAN yang semakin meningkat.

Kekonduksian terma yang luar biasa: Kekonduksian terma tinggi grafit (150-300 w/(m · k)) memastikan pengagihan suhu seragam merentasi pengedap, yang membawa kepada pertumbuhan filem GaN yang konsisten.

-Pengembangan terma yang rendah: Koefisien pengembangan haba yang rendah meminimumkan tekanan haba dan retak semasa proses pertumbuhan suhu tinggi.

-Kemua Kekurangan: Grafit secara kimia tidak aktif dan tidak bertindak balas dengan prekursor GAN, mencegah kekotoran yang tidak diingini dalam filem -filem yang ditanam.

-Pengahaman dengan Aixtron G5: Susceptor direka khusus untuk digunakan dalam sistem Aixtron G5 MOCVD, memastikan kesesuaian dan fungsi yang sesuai.


Aplikasi:

LED kecerahan tinggi: LED berasaskan GaN menawarkan kecekapan tinggi dan jangka hayat yang panjang, menjadikannya sesuai untuk pencahayaan umum, pencahayaan automotif dan aplikasi paparan.

Transistor kuasa tinggi: Transistor GAN menawarkan prestasi yang lebih baik dari segi ketumpatan kuasa, kecekapan, dan kelajuan menukar, menjadikannya sesuai untuk aplikasi elektronik kuasa.

Diod laser: Diod laser berasaskan GaN menawarkan kecekapan tinggi dan panjang gelombang pendek, menjadikannya sesuai untuk storan optik dan aplikasi komunikasi.


Parameter produk Susceptor Grafit Epitaxial GaN untuk G5

Sifat fizikal grafit isostatik
Harta Unit Nilai Biasa
Ketumpatan Pukal g/cm³ 1.83
Kekerasan HSD 58
Kerintangan Elektrik μΩ.m 10
Kekuatan lentur MPA 47
Kekuatan Mampatan MPA 103
Kekuatan tegangan MPA 31
Modulus Young GPA 11.8
Pengembangan Terma(CTE) 10-6K-1 4.6
Kekonduksian Terma W · m-1· K-1 130
Saiz bijian purata μm 8-10
Keliangan % 10
Kandungan abu ppm ≤10 (selepas disucikan)

Nota: Sebelum salutan, kami akan melakukan pembersihan pertama, selepas salutan, akan melakukan penulenan kedua.


Sifat fizikal asas salutan SiC CVD
Harta Nilai Biasa
Struktur kristal Polihablur fasa FCC β, terutamanya berorientasikan (111).
Ketumpatan 3.21 g/cm³
Kekerasan 2500 kekerasan Vickers (beban 500g）
Saiz bijian 2 ~ 10mm
Ketulenan Kimia 99.99995%
Kapasiti haba 640 J · kg-1· K-1
Suhu Sublimasi 2700 ℃
Kekuatan lentur 415 MPA RT 4-point
Modulus Muda 430 Gpa selekoh 4pt, 1300℃
Kekonduksian Terma 300W · m-1· K-1
Pengembangan Terma(CTE) 4.5 × 10-6K-1


Bandingkan Kedai Pengeluaran Semikonduktor:

VeTek Semiconductor Production Shop


Teg Panas: Reseptor Grafit Epitaxial GaN untuk G5
Kategori Berkaitan
Hantar Pertanyaan
Maklumat Hubungan
Untuk pertanyaan mengenai Salutan Silikon Karbida, Salutan Tantalum Karbida, Grafit Khas atau senarai harga, sila tinggalkan e-mel anda kepada kami dan kami akan berhubung dalam masa 24 jam.
Produk Berkaitan
8 inci bahagian separuhmoon untuk reaktor LPE
8 inci bahagian separuhmoon untuk reaktor LPE Lihat Lagi >>
Silicon Carbide Epitaxy Wafer Carrier
Silicon Carbide Epitaxy Wafer Carrier Lihat Lagi >>
Bahagian separuh atas sic bersalut
Bahagian separuh atas sic bersalut Lihat Lagi >>
Grafit ultra murni lebih rendah separuh
Grafit ultra murni lebih rendah separuh Lihat Lagi >>
Pengendali Aixtron G5 MOCVD
Pengendali Aixtron G5 MOCVD Lihat Lagi >>
Pin Angkat Wafer
Pin Angkat Wafer Lihat Lagi >>
Cadangan Berita
Apakah cabaran yang dilakukan oleh proses salutan TAC CVD untuk wajah pertumbuhan kristal tunggal dalam pemprosesan semikonduktor?
Apakah cabaran yang dilakukan oleh proses salutan TAC CVD untuk wajah pertumbuhan kristal tunggal dalam pemprosesan semikonduktor?Lihat Lagi >>
Apakah grafit berliang kejam tinggi?
Apakah grafit berliang kejam tinggi?Lihat Lagi >>
Kenapa salutan Tantalum Carbide (TAC) lebih tinggi daripada salutan silikon karbida (sic) dalam pertumbuhan kristal tunggal? - Vetek Semiconductor
Kenapa salutan Tantalum Carbide (TAC) lebih tinggi daripada salutan silikon karbida (sic) dalam pertumbuhan kristal tunggal? - Vetek SemiconductorLihat Lagi >>
Bagaimana nipis boleh proses Taiko membuat wafer silikon?
Bagaimana nipis boleh proses Taiko membuat wafer silikon?Lihat Lagi >>
Laluan teknikal yang berbeza dari relau pertumbuhan epitaxial SIC
Laluan teknikal yang berbeza dari relau pertumbuhan epitaxial SICLihat Lagi >>
Apakah proses epitaxial?
Apakah proses epitaxial?Lihat Lagi >>
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept