Berita

Artikel ini memperkenalkan perkembangan terkini dalam reaktor CVD dinding panas PE1O8 yang baru direka bentuk bagi syarikat Itali LPE dan keupayaannya untuk melakukan epitaksi 4H-SiC seragam pada 200mm SiC.

Dengan permintaan yang semakin meningkat untuk bahan -bahan SIC dalam elektronik kuasa, optoelektronik dan bidang lain, pembangunan teknologi pertumbuhan kristal tunggal SIC akan menjadi bidang utama inovasi saintifik dan teknologi. Sebagai teras peralatan pertumbuhan kristal tunggal SIC, reka bentuk medan haba akan terus mendapat perhatian yang luas dan penyelidikan mendalam.

Melalui kemajuan teknologi yang berterusan dan penyelidikan mekanisme mendalam, teknologi heteroepitaxal 3C-SIC dijangka memainkan peranan yang lebih penting dalam industri semikonduktor dan menggalakkan pembangunan peranti elektronik kecekapan tinggi.