Silikon pada wafer penebat

Prinsip kerjaIa semikonduktor'SSilikon pada penebat waferterutamanya bergantung pada struktur dan sifat bahan yang unik. Dan Soi waferTerdiri daripada tiga lapisan: Lapisan atas adalah lapisan peranti silikon tunggal kristal, tengah adalah lapisan oksida yang terkubur (kotak), dan lapisan bawah adalah substrat silikon yang menyokong.

Struktur silikon pada wafer penebat (SOI)

Pembentukan lapisan penebat: Silikon pada wafer penebat biasanya dihasilkan menggunakan teknologi Smart Cut ™ atau Simox (Pemisahan oleh oksigen yang ditanam). Teknologi Smart Cut ™ menyuntik ion hidrogen ke wafer silikon untuk membentuk lapisan gelembung, dan kemudian mengikat wafer yang disuntik hidrogen ke silikon sokonganwafer. 

Selepas rawatan haba, wafer yang disuntik hidrogen dibahagikan dari lapisan gelembung untuk membentuk struktur SOI.Teknologi SimoxImplan ion oksigen tenaga tinggi ke dalam wafer silikon untuk membentuk lapisan silikon oksida pada suhu tinggi.

Kurangkan kapasitans parasit: Lapisan kotakSilicon Carbide Waferberkesan mengasingkan lapisan peranti dan silikon asas, reducin dengan ketaraG Kapasiti Parasit. Pengasingan ini mengurangkan penggunaan kuasa dan meningkatkan kelajuan dan prestasi peranti.

Elakkan kesan selak: Peranti n-baik dan p-baik diSoi waferbenar-benar terpencil, mengelakkan kesan selak dalam struktur CMOS tradisional. Ini membolehkanwafer soi untuk dihasilkan pada kelajuan yang lebih tinggi.

Fungsi Stop ETCH: Thelapisan peranti silikon kristal tunggaldan struktur lapisan kotak SOI wafer memudahkan pembuatan peranti MEMS dan optoelektronik, menyediakan fungsi stop etch yang sangat baik.

Melalui ciri -ciri ini,Silikon pada wafer penebatmemainkan peranan penting dalam pemprosesan semikonduktor dan mempromosikan perkembangan berterusan litar bersepadu (IC) danSistem Mikroelektrik (MEMS)industri. Kami sangat berharap untuk komunikasi dan kerjasama selanjutnya dengan anda.

Parameter Spesifikasi Sol Wafers 200mm:

Silicon pada Insulator Wafers Production Shops: